科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm
5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。
2024慕尼黑华南电子生产设备展预登记通道火热开启
2024华南国际智能制造、先进电子及激光技术博览会（简称LEAP Expo）旗下成员展慕尼黑华南电子生产设备展将于10月14-16日，再次登陆深圳国际会展中心（宝安新馆）
砺算科技G100芯片已进入封装测试及产品验证阶段
日前，东芯股份在投资者互动平台表示，公司的对外投资企业砺算科技的G100芯片产品已经完成首次流片的晶圆加工并进入封装测试及产品验证阶段。
美光宣布1γ DDR5 DRAM芯片开始出货，采用EUV技术
自美光官网获悉，当地时间2月25日，美光(Micron)宣布已成为业内首家向合作伙伴与客户交付其基于下一代CPU的1γ（1-gamma）、第六代（10nm 级）DRAM 节点型DDR5内存样品的公司。旨在提供创新，为未来的计算平台提供动力，从云到工业和消费类应用，再到AI PC、智能手机和汽车等边缘AI设备。
国家火炬中心固安半导体产业基地揭牌运营
据消息，8月20日，国家火炬中心固安半导体产业基地正式揭牌，固安半导体核心零部件产业园开园运营。
英特尔和新思科技深化合作，提供基于英特尔先进制程节点的领先IP
通过扩大合作伙伴和加快提供IP的速度，该合作将支持英特尔代工服务生态的发展
成都华微：发布32位高速高可靠MCU芯片
据消息，12月3日，成都华微发布公告称，公司研发的32位高速高可靠MCU“HWD32H743”于近日发布。
三星2nm工艺EUV层数相比3nm将增加30%
与3nm工艺相比，三星2nm工艺节点的EUV层数将增加30%，这意味着芯片可容纳更多电路，目前该公司3nm工艺节点有20个EUV层。
Arm计划五年内获得50％的PC市场份额
Arm CEO Rene Haas表示，该公司旨在五年内赢得超过50%的Windows PC市场份额，与此同时，微软及其硬件合作伙伴正准备推出一批基于Arm技术的新电脑。在COMPUTEX台北国际电脑展上，Rene Haas预计到2025年底全球将有1000亿台Arm设备为人工智能（AI）做好准备。
哈工大与赛力斯集团签署战略合作协议
1月13日消息，据哈尔滨工业大学消息，1月11日，哈尔滨工业大学与赛力斯集团签署战略合作协议。
台积电3纳米产能全包，传英伟达、苹果等四大客户考虑涨价
随着台积电3纳米供不应求，四大客户产能全包，预期台积电3纳米订单满至2026年。据报道，NVIDIA、苹果、AMD和高通现在考虑提高AI硬件价格。
涉及GaN，两家半导体公司达成合作
近日，BAE Systems宣布和GlobalFoundries（格芯）建立了合作伙伴关系，以加强美国国家安全项目的关键半导体供应。
预计台积电、英特尔今年内建成2nm晶圆厂
国际半导体产业协会（SEMI）表示，芯片巨头台积电和英特尔预计将在今年内完成2nm或以下晶圆厂建设。
半导体、汽车电子赛道仍火热，40亿元产业基金将成立
该基金将聚焦汽车电子、半导体、新能源及产业链延伸相关领域，重点挖掘自动驾驶、智能座舱、低碳出行及与产业链相关的半导体、信息安全等细分赛道项目
德州仪器日本会津工厂开始生产GaN芯片，自有产能将提升四倍
自德州仪器官网获悉，日前，德州仪器公司（TI）宣布已开始在日本会津工厂生产基于氮化镓(GaN)的功率半导体。随着会津工厂的投产，结合其在德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造能力，德州仪器的内部GaN基功率半导体制造能力将翻四倍。
传三星2nm SF2工艺初始良率达30%
据韩媒报道，三星电子近日正在为旗下自研处理器Exynos 2600投入大量资源，以确保其按时量产，且已在试产中获得初步成功，其2nm工艺（SF2）的良率达到了高于预期的30%。
