国内首条年产1000万支“薄膜铂热敏感芯片”项目在重庆建成达产
近日，国内首条具备年产1000万支能力的“薄膜铂热敏感芯片”生产线在西部（重庆）科学城北碚园区正式建成达产并举行剪彩仪式。
意法半导体与高通最新合作产品开始量产
6月5日，意法半导体宣布，Wi-Fi 6 和低功耗蓝牙 5.4 二合一模块 ST67W611M1 正式进入量产阶段。
格芯收购RISC-V公司MIPS
自格芯官网获悉，当地时间7月8日，GlobalFoundries（GF，格芯）宣布与人工智能和处理器IP领先供应商MIPS达成最终收购协议。
创新功率器件构建可持续未来 ——三菱电机即将亮相PCIM Asia 2025
在“双碳”战略目标驱动下，功率半导体正成为高能效家电与新能源汽车发展的核心引擎。
立讯精密向港交所提交上市申请书
8月18日，立讯精密发布公告称，公司已于当日向香港联合交易所有限公司递交了发行境外上市股份（H 股）并在香港联交所主板挂牌上市的申请，并在香港联交所网站刊登了本次发行的申请材料。
村田中国亮相2025开放数据中心大会：技术创新赋能数据中心发展
由开放数据中心委员会(ODCC)主办的“2025开放数据中心大会”将于9月9日至11日于北京国际会议中心召开，本届大会将以“拥抱AI变革，点燃算网引擎”为题，齐聚算力产业头部玩家共话行业未来。
韩国今年将投资2434亿韩元，加速AI芯片商业化
据韩媒报道，韩国科技信息通信部（MSIT）宣布，将于6月11日举行人工智能（AI）半导体领域项目综合说明会。
晶能与株洲中车时代半导体签署战略合作协议
据晶能官微消息，近日，浙江晶能微电子有限公司（以下简称"晶能"）与株洲中车时代半导体有限公司（以下简称"中车时代半导体"）正式签署战略合作协议。
软银与英特尔合作研发新型AI内存芯片，电力消耗有望减半
软银与英特尔携手开发新型AI内存芯片，旨在显著降低电力消耗，助力日本构建高效节能的AI基础设施。根据日经亚洲的报道，双方计划设计一种新型堆叠式DRAM芯片，采用与现有高带宽内存（HBM）不同的布线方式，预计将电力消耗减少约50%。
ASML携蔡司研发新一代Hyper NA EUV设备
据外媒报道，近日，ASML技术高级副总裁Jos Benschop在受访时表示，该企业已与光学组件独家合作伙伴蔡司一同启动了单次曝光实现5nm分辨率的Hyper NA光刻机开发，能满足2035年乃至更后阶段的产业需求。
富乐德半导体部件精密清洗项目竣工投运
据青岛自贸片区官微消息，5月13日，青岛富乐德半导体部件精密清洗项目竣工投运活动在青岛自贸片区举行。
新声半导体完成近3亿元B+轮融资
近日，新声半导体宣布已完成2.88亿元B+轮融资，进一步巩固新声半导体在本土中高端滤波器领域的龙头地位。
长三角先进制造业集群联盟成立
据江苏工信、浙江经信官微消息，日前，2025年度长三角地区主要领导座谈会在南京举行。座谈会期间，长三角一市三省工信部门联合组建成立长三角先进制造业集群联盟（以下简称“联盟”），并举行了联盟揭牌仪式。
全球首款北斗优先全频点高精度芯片正式发布
据湖北工信官微消息，6月26日，全球首款北斗优先全频点高精度芯片正式发布，标志着我国北斗芯片技术迈入2.0时代。
上海新阳拟18.5亿元投建集成电路关键工艺材料及总部、研发中心项目
上海新阳4月17日发布晚间公告称，为满足市场与客户对公司产品的需求，进一步扩大产品产能，公司拟投资建设年产5万吨集成电路关键工艺材料及总部、研发中心项目。
三星计划2028年将玻璃基板导入先进封装
据韩媒报道，有消息称，三星电子已确定计划在2028年将玻璃基板引入先进半导体封装领域，其要点是用玻璃中介层取代硅中介层，这也是三星电子玻璃基板路线图首次被确认。
思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产
据思锐智能官微消息，日前，思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产仪式在青岛隆重举行。据悉，思锐智能半导体先进装备研发制造中心由思锐智能与青岛城投集团联合打造，总占地约95亩，总建筑面积约8.9万平方米，计划投资超12亿元，聚焦原子层沉积镀膜（ALD）和离子注入机（IMP）两大核心装备的研发与量产。思锐智能董事长聂翔表示，思锐智能半导体先进装备研发制造中心不仅是一座年产上百台核心设备的研发生产基
闪迪联手SK海力士推进高带宽闪存标准化，2026年推首款样品
自闪迪Sandisk官网获悉，当地时间8月6日，闪迪宣布已与SK海力士签署了一份具有里程碑意义的合作备忘录（MOU），双方将携手制定高带宽闪存（High Bandwidth Flash, HBF）的规格。这是一种旨在为下一代人工智能推理提供突破性内存容量和性能的新技术。
