总投资超200亿！长飞先进武汉基地正式投产
据“长飞先进”官微消息，5月28日，长飞先进武汉基地首片晶圆从生产车间成功下线，标志着总投资超200亿元的长飞先进武汉基地正式投产，全面进入量产倒计时。
联电与英特尔合作开发12nm制程，预计2027年量产
据报道，在5月28日举行的联电（UMC）年度股东大会，联电首席财务官刘启东指出，与处理器大厂英特尔合作的12nm节点制程，为联电最重要的发展计划之一，预计量产的时间点将会落在2027年。
恩智浦计划关闭多家8英寸厂，产能扩张转向12英寸
值得一提的是，奈梅亨是恩智浦在荷兰本土除埃因霍温总部外的另一大关键驻地，业务包含制造、研发、测试、技术使能和支持功能，在新产品导入过程中起到重要作用。
华润微GaN外延生产项目通线
据华润微电子功率器件事业群官微消息，5月16日，华润微电子功率器件事业群润新微电子在大连举办氮化镓亿颗芯片庆典暨外延生产基地通线仪式。
环球晶圆加码40亿美元，扩产12英寸线
据外媒报道，当地时间5月15日，环球晶圆宣布其美国新12英寸晶圆制造厂GlobalWafers America（GWA）正式启用。
Broadcom第二季度营收150.04亿美元，同比增长20%
6月5日，Broadcom公布了截至2025年5月4日的2025财年第二季度财务业绩，为2025财年第三季度提供了指导，并宣布了季度股息。
纵慧芯光FabX成功通线
据纵慧芯光官微消息，近日，纵慧芯光FabX完成了厂房设计、建设及设备选型调试，并攻克了产品外延结构设计、Fab工艺开发等多项技术难题，成功实现项目通线。
三星电子率先在DRAM领域导入干式光刻胶技术
三星电子在DRAM内存领域取得了重要技术突破，成为首家引入干式光刻胶（Dry PR）技术的公司。根据韩媒ETNews的报道，这项新技术将应用于即将推出的第六代10纳米级工艺（1c nm）。
寒武纪近50亿元定增申请获受理
自上交所官网获悉，6月4日晚间，寒武纪49.8亿元定增申请获得上交所受理。此次寒武纪再融资适用科创板“轻资产、高研发投入”企业认定标准，也是落实“科创板八条”的又一代表性案例。
华懋控股拟100%控股富创优越，聚焦半导体算力布局
华懋科技5月20日发布晚间公告称，公司正在筹划通过发行股份及支付现金的方式，购买富创优越、洇锐科技、富创壹号相关股权和出资份额，同时拟发行股份募集配套资金。
联电与英特尔合作开发12nm制程 2027年量产
在5月28日的年度股东大会上，联电（UMC）首席财务官刘启东宣布，与英特尔（Intel）合作开发的12nm制程是联电当前最重要的发展计划之一，预计将在2027年实现量产。此项合作自2024年初宣布以来，旨在应对快速增长的移动通信和网络基础设施市场。
浙江12英寸CMOS二期项目新进展
据浙大杭州国际科创中心官微消息，日前，浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）项目一期（六阶段）工程、浙江省集成电路创新平台二期A12号楼首段大体积筏板混凝土浇筑任务顺利完成。
天岳先进临港工厂二期8吋SiC衬底扩产项目持续推进
5月21日，天岳先进在投资者互动平台表示，公司立足全球市场，持续提升核心产品的产能产量。其中，济南工厂的产能产量稳步推进，2024年上半年，上海临港工厂已经实现年30万片导电型衬底的产能规划。
三星DRAM第17产线正推动制程转换
据台媒报道，三星位于韩国华城的DRAM第17产线（Line 17）正推动制程转换，预计从DDR4转向14/16纳米等先进制程，配合HBM与下一代DRAM量产。
佰维存储向子公司提供借款，加码两大封测项目
日前，佰维存储发布公告称，公司拟使用募集资金向子公司广东泰来封测科技有限公司（以下简称“泰来科技”）、广东芯成汉奇半导体技术有限公司（以下简称“芯成汉奇”）分别提供借款8.51亿元和10.2亿元。
