国际大厂纷纷投入HBM制造，挤压标准型DRAM产能
英特尔和AMD都预计于2024年推出搭载DDR5的新平台，带动新一波的换机潮与AI PC的发展。
台积电3纳米产能全包，传英伟达、苹果等四大客户考虑涨价
随着台积电3纳米供不应求，四大客户产能全包，预期台积电3纳米订单满至2026年。据报道，NVIDIA、苹果、AMD和高通现在考虑提高AI硬件价格。
长电科技申请电感封装结构专利
据国家知识产权局信息显示，江苏长电科技股份有限公司申请一项名为“一种电感封装结构、相应的制备方法及封装板结构”，公开号CN202410209578.1，申请日期为2024年2月。
总投资约100亿元，奕斯伟半导体材料产业基地项目落户珠海金湾
据消息，6月13日，珠海市金湾区人民政府、华发集团与北京奕斯伟科技集团有限公司在珠海签订奕斯伟半导体材料产业基地项目投资协议，正式落户珠海金湾。
安牧泉高端大芯片先进封装基地正式启用
据消息，6月13日，2024长沙共建新一代半导体产业生态大会暨产业链专场主题活动在位于湖南湘江新区的安牧泉先进封装基地启幕，标志着该基地正式投入使用。
美国半导体设备商MKS宣布在马来西亚建超级中心工厂
美国半导体供应商万机仪器（MKS）日前宣布，计划在马来西亚槟城建“超级中心”工厂，以支持本区域和全球的晶圆制造设备生产，项目建设将分3个阶段，预计明年初动工。
英飞凌居林200mm碳化硅晶圆厂第一阶段建设完成
英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅（SiC）功率晶圆厂的第一阶段建设。
台积电3nm产能紧张导致IC设计公司涨价 高通Snapdragon 8 Gen 4较上一代报价激增25％
半导体业内人士表示，台积电3nm产能供不应求，上游IC设计公司开始传出涨价消息。供应链透露，高通Snapdragon 8 Gen 4以台积电N3E打造，较上一代报价激增25％，不排除引发后续涨价趋势。但业内也指出，涨价幅度合理，因为相较5nm，3nm每片晶圆成本价格大约就贵了25％，且这一涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。
业内人士：英伟达、AMD与日月光讨论面板级扇出先进封装技术
据消息，为解决最新GB200供应问题，除了台积电的CoWoS产能吃紧，供应链业者表示，持成本与效能优势下，日月光正持续驱动面板级扇出先进封装（FOPLP），英伟达、AMD也与其讨论相关业务，不过业者认为，至少要到2025年看到AI需求明显浮现，有望2024年可看到面板级扇出先进封装产品小量生产，2025年下半至2026年才会导入实施该技术，即便FOPLP正式量产，其取代CoWoS的机率不大。
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。
紫光集电高可靠性芯片封装测试项目产线通线
据无锡高新区商务局官微消息，6月12日，无锡紫光集电科技有限公司品牌揭幕暨产线通线仪式举行。
德国蔡司中国台湾首座创新中心即将启用
据消息，6月12日，蔡司宣布其位于新竹科学园区，斥资超过3亿元新台币打造的首座台湾创新中心将于6月18日落成。
ASML荷兰扩建计划获表决通过
据报道，当地时间周二，荷兰埃因霍温市议会投票通过了ASML在该市北部进行重大扩张的计划。该委员会表示，此次扩张计划可容纳多达2万名新员工。
SK子公司将斥约37亿元生产芯片用气体
据报道，日前，SK Materials Airplus宣布未来十年内将投资7000亿韩元（约合人民币37亿元）建设生产气态氮(GN2)和洁净干空气(CDA)的工厂。
中国科学家在半导体领域获突破
近日，中国科学院大学教授周武课题组与山西大学教授韩拯课题组、辽宁材料实验室副研究员王汉文课题组、中山大学教授侯仰龙课题组、中国科学院金属研究所研究员李秀艳课题组等合作，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。
容大感光拟募资2.45亿元建设高端感光线路干膜光刻胶项目
6月7日，容大感光发布公告称，公司拟以简易程序向特定对象发行股票募资不超2.45亿元，用于高端感光线路干膜光刻胶建设项目、IC载板阻焊干膜光刻胶及半导体光刻胶研发能力提升项目以及补充流动资金。
