SK海力士开发出世界首款12层堆叠HBM3 DRAM， 已向客户提供样品
全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字节）**的HBM3 DRAM新产品，并正在接受客户公司的性能验证
DNP成功研发3nm EUV微影用光罩
日本DNP宣布已研发出3nm EUV微影用光罩，2030年营收目标为100亿日元，且今后也将和imec等伙伴合作、推动2nm以后的光罩研发
新思科技重磅发布全新RISC-V处理器系列，进一步扩大ARC处理器IP组合
面向汽车嵌入式软件、存储和物联网应用的新一代ARC-V处理器
不依赖极高端光刻机 国内首条多材料光子芯片产线即将建成
据《北京日报》今日报道，从中科鑫通获悉，国内首条“多材料、跨尺寸”的光子芯片生产线已在筹备，预计将于2023年在京建成，可满足通信、数据中心、激光雷达、微波光子、医疗检测等领域需求，有望填补我国在光子芯片晶圆代工领域的空白。
北方华创国产12英寸HDPCVD设备进入客户生产线
近日，由北方华创自主研发的12英寸高密度等离子体化学气相沉积（HDPCVD）设备Orion Proxima正式进入客户端验证
Semtech PerSe以智能人体感应技术赋能可穿戴设备，优化用户体验
凭借更有针对性的功能以及使用场景的更高适配性，可穿戴设备近年来受到了消费者的青睐，市场份额持续增长。2021年,中国可穿戴市场出货量近1.4亿台，同比增长25.4%。预计2022年，中国可穿戴市场出货量将同比增长18.5%
首个石墨烯制成的功能半导体问世
测量表明，石墨烯半导体的迁移率是硅的10倍，该项突破为开发全新电子产品打开了大门。研究发表在《自然》杂志上
国芯科技推出全国产RAID卡解决方案CCUSR8116
近期，苏州国芯科技股份有限公司（以下简称“公司”）的全资子公司广州领芯科技有限公司（以下简称“广州领芯”） 基于自研RAID芯片CCRD3316,正式推出全国产RAID卡解决方案CCUSR8116
SK海力士将在CES2024向全世界展示AI存储器领导力
在CES2024，公司将重点突出‘以存储器为中心（Memory Centric*）’的未来发展蓝图。向全世界展示，AI时代技术发展所带来的半导体存储器重要性，与此同时展现公司在该领域的全球市场领先竞争力量
紫光国微第二代面向人工智能、机器视觉等领域的SoPC已启动研发
第一代SoPC系列产品研发进展顺利，第二代面向人工智能、机器视觉等领域的SoPC，已经启动研发
3D堆叠、背面供电、背面触点，英特尔展示前沿晶体管微缩技术突破
2023年12月9日，英特尔在IEDM 2023（2023 IEEE 国际电子器件会议）上展示了多项技术突破，为其未来的制程路线图提供了丰富的创新技术储备，充分说明了摩尔定律仍在不断演进
上海微电子“投影物镜光学系统及光刻机”专利公开
11月28日消息，上海微电子装备（集团）股份有限公司今日公开了其最新的光刻机相关专利
持续性能优化，从容应对挑战——澜起科技全新第五代津逮®CPU上市
12月18日，澜起科技于今日正式向外界发布其全新第五代津逮®CPU，旨在以多方面的性能优化应对AI、HPC、数据服务、网络/5G、存储等严苛工作负载的挑战
中国电科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通过技术鉴定
该项目聚焦新能源汽车、光伏储能、智能电网等领域对高性能高可靠碳化硅 MOSFET器件自主创新的迫切需求，突破多项关键工艺技术，贯通碳化硅衬底、外延、芯片、模块全产业链量产平台
SiFive 宣布推出针对生成式 AI/ML 应用的差异化解决方案，引领 RISC-V 进入高性能创新时代
P870 和 X390 全新登场：适用于基础设施、消费电子和汽车应用领域的高性能计算
SK海力士宣布量产业界最高238层4D NAND闪存
6月8日，SK海力士宣布，已开始量产238层4D NAND闪存，并正在与生产智能手机的海外客户公司进行产品验证
紫光展锐Wi-Fi 6成功通过Wi-Fi联盟认证
近日，紫光展锐Wi-Fi 6产品成功通过Wi-Fi联盟 (简称“WFA”) Qualified Solution 认证，并支持Wi-Fi 6 Release 2，标志着紫光展锐自研Wi-Fi 6 IP技术已经成熟，在互操作性、安全性和一系列应用专有协议方面达到了国际行业标准
长鑫存储推出多款LPDDR5产品
LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局
