据中国光谷官微消息，近日，位于武汉新城的长飞先进武汉基地正加紧建设，目前已进入设备安装调试阶段，预计今年5月实现量产通线，较先前预计时间提前两个月。
据了解，该项目于2023年9月1日破土动工，总投资超200亿元，主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域，致力于打造全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂。
其中项目一期总投资80亿元，占地面积344亩，将聚集上千位全球碳化硅半导体人才，打造国内碳化硅产能最大的一体化新高地。据长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚介绍，基地选用了更先进的设备打造产线，产品性能将大幅提升，达产后将具备年产36万片碳化硅芯片的制造能力，极大缓解国内新能源汽车高端芯片需求。
