公告披露了该项目的具体信息。本项目建设周期预计为4年（最终以实际开展情况为准），占地面积约147亩，其中公司拟购买土地使用权面积约42亩，拓荆创益拟购买土地使用权面积约105亩（具体以实际情况为准）。本项目拟在沈阳市浑南区购置土地建设新的产业化基地，包括生产洁净间、立体库房、测试实验室等。该产业化基地建成后，将进一步提高公司的产能，以支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等高端半导体设备产品未来的产业化需求，从而推动公司业务规模的持续增长，提升公司整体竞争力和盈利能力。
关于项目建设的必要性，公告表示：
1、符合国家发展战略，巩固公司行业地位。
本项目通过建设高端半导体设备产业化基地，支撑公司PECVD、SACVD、HDPCVD等高端半导体设备产品未来的产业化需求，进而满足集成电路制造产线的扩产需求，有利于推动集成电路设备技术的发展，对于落实国家发展战略规划具有重要意义。此外，本项目将为现有研发成果及新工艺、新产品投入量产提供支撑条件，其有利于提升公司核心竞争力，巩固公司在行业的领先地位。
2、有利于公司把握市场需求，抓住市场机遇。
根据SEMI预测，预计2024年全球半导体制造设备的销售额达到1000亿美元。纵观半导体行业的发展历史，虽然行业呈现明显的周期性波动，但整体增长趋势并未发生变化。在人工智能、大数据、智能驾驶、新能源等新兴领域的快速发展拉动下，晶圆厂将持续进行资本开支，扩充产能，这将带动半导体设备的市场需求量的增长。薄膜沉积设备作为集成电路晶圆制造的核心设备，具有较大的市场需求和增长空间。公司本次新建项目通过提升公司半导体薄膜沉积设备的产能，可以进一步推动公司业务规模的持续增长，进而提升公司薄膜沉积设备的市场份额，抓住市场机遇，迅速扩大企业规模。
此外，公告还透露新项目投资金额及资金来源：本项目计划总投资金额约为人民币110,000.00万元（最终项目投资总额以实际投入为准），其中以变更用途的募集资金投入人民币25,000.00万元，其余项目资金人民币85,000.00万元由拓荆科技及公司全资子公司拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司自筹。
公司拟调减首发募投项目“先进半导体设备的技术研发与改进项目”募集资金承诺投资总额人民币20,000.00万元，同时调减超募资金投资项目“半导体先进工艺装备研发与产业化项目”的募集资金承诺投资总额人民币5,000.00万元，合计人民币25,000.00万元用于投入本项目。本次变更后，公司首次公开发行募集资金的募投项目情况如下：
此前业绩快报披露，2023年度公司实现营业收入27.05亿元，同比增长58.60%；同期实现归属于母公司所有者的净利润6.65亿元，同比增长80.38%；业绩增长主要系公司持续高强度的研发投入，突破核心技术，在推进产业化和迭代升级各产品系列的过程中取得了重要成果，产品竞争力持续增强。
