据台媒报道，SK 海力士预计将独家供应英伟达Blackwell Ultra架构芯片第五代12层HBM3E。
据悉，SK 海力士于去年9月全球率先开始量产12层HBM3E芯片，实现了最大36GB容量，运行速度可达9.6Gbps。如果大型语言模型Llama 3 70b由单个搭载4个HBM3E产品的GPU驱动，每秒可读取总计700亿个参数35次。
和此前同等厚度的8层产品相比，容量增加了50%。为了实现这一目标，该公司将每个DRAM芯片比以前薄40%，并使用TSV技术垂直堆叠。还通过应用其核心技术Advanced MR-MUF工艺，解决了由于将更薄的芯片堆叠得更高而产生的结构问题。这使得新一代产品散热性能比上一代产品高10%，并通过增强翘曲控制来确保产品的稳定性和可靠性。
