据日经新闻报道,英特尔将与日本国家先进产业科学技术研究所(AIST)合作,在日本建立先进半导体制造设备和材料研发(R&D)中心,预计将在3-5年内完成,并引进ASML极紫外线光刻(EUV)设备。
报道称,该研发中心将是一项重大投资,英特尔和AIST计划向该项目投入数千亿日元。AIST将率先运营研发中心,英特尔将提供使用EUV光刻设备的关键半导体制造专业知识,设备制造商和材料公司将付费使用该设施进行原型设计和测试。
据日经新闻报道,英特尔将与日本国家先进产业科学技术研究所(AIST)合作,在日本建立先进半导体制造设备和材料研发(R&D)中心,预计将在3-5年内完成,并引进ASML极紫外线光刻(EUV)设备。
报道称,该研发中心将是一项重大投资,英特尔和AIST计划向该项目投入数千亿日元。AIST将率先运营研发中心,英特尔将提供使用EUV光刻设备的关键半导体制造专业知识,设备制造商和材料公司将付费使用该设施进行原型设计和测试。