SK海力士大幅扩产第5代1b DRAM 以应对HBM及DDR5需求增加
据业内人士透露，SK海力士正在扩产其第5代1b DRAM，以应对HBM及DDR5 DRAM需求增加。
SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展9月在深圳举办
SEMI-e深圳国际半导体展暨2025集成电路产业创新展(简称：SEMI-e) 将于2025年9月10-12日在深圳国际会展中心举办。
消息称英伟达计划将GB200提早导入面板级扇出型封装
据供应链透露，为缓解CoWoS先进封装产能吃紧，英伟达正规划将其GB200提早导入面板级扇出型封装，从原订2026年提前到2025年。
美光公布HBM4、HBM4E最新进展，预计2026年量产
据外媒报道，近日，美光（Micron）公布了下一代HBM4和HBM4E工艺的最新进展，该公司预计将于2026年开始量产。
台积电3nm产能紧张导致IC设计公司涨价 高通Snapdragon 8 Gen 4较上一代报价激增25％
半导体业内人士表示，台积电3nm产能供不应求，上游IC设计公司开始传出涨价消息。供应链透露，高通Snapdragon 8 Gen 4以台积电N3E打造，较上一代报价激增25％，不排除引发后续涨价趋势。但业内也指出，涨价幅度合理，因为相较5nm，3nm每片晶圆成本价格大约就贵了25％，且这一涨幅还未考虑整体投片数量、设计架构等因素。
美方要求韩方限制对华出口半导体技术？外交部：望韩方做出正确判断
汪文斌表示，中方一贯认为，国与国之间开展贸易科技合作，应当有利于维护全球产供链稳定畅通，维护自由开放的国际经贸秩序，不应针对第三方或损害第三方利益
爱德万新执行长Douglas Lefeve上任
半导体测试设备领导供应商爱德万测试(Advantest Corporation) 日前宣布，企业副总暨集团营运长Douglas Lefever荣升集团执行长，人事令已于2024年4月1日生效。现任执行长吉田芳明卸下职务，转任董事长。
消息称英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能 单台成本超26亿元
ASML截至2025上半年的高数值孔径EUV（High-NA EUV）设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和SK海力士2025下半年后才能获得设备。
