汽车驶入量子计算快车道

汽车公司目前正在探索量子计算作为帮助他们加速新能源技术进步的一种潜在途径。人们已经在探索量子计算机以应对多项挑战,包括模拟复杂的分子和材料系统以生产下一代电池或氢燃料电池技术、提高构建材料的寿命(例如通过提高其耐腐蚀性)以及开发新的方法来优化制造流程和车辆路线

晶合集成业内首颗1.8亿像素全画幅CIS芯片成功试产

据晶合集成官微消息,近期,晶合集成与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅(2.77英寸)CIS(CMOS图像传感器),为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择,推动全画幅CIS进入发展新阶段。

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

据消息,三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前,8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨,这主要是因为地震影响美光内存产能,短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外,HBM内存需求旺盛,在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下,通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。​

台积电协同旗下创意拿下SK海力士订单

据消息,继台积电独家代工英伟达、超微等科技巨头AI芯片之后,传出台积电协同旗下特殊应用IC设计服务厂创意,取得SK海力士在HBM4的关键基础介面芯片委托设计案订单。预期最快明年设计定案,将依高效能或低功耗不同,分别采用台积电12纳米及5纳米生产。 ​

三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

据消息,三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。​