美国将限制中国经第三国购买AI芯片
据香港《南华早报》12日报道，美国拜登政府计划于12月底前采取新措施，限制中国从第三方国家获取先进人工智能（AI）芯片，特别是用于训练AI模型的绘图处理器（GPU）。此举旨在填补现有漏洞，控制美国产品扩散，确保美国在全球AI领域的领先地位。
Arm计划五年内获得50％的PC市场份额
Arm CEO Rene Haas表示，该公司旨在五年内赢得超过50%的Windows PC市场份额，与此同时，微软及其硬件合作伙伴正准备推出一批基于Arm技术的新电脑。在COMPUTEX台北国际电脑展上，Rene Haas预计到2025年底全球将有1000亿台Arm设备为人工智能（AI）做好准备。
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
据消息，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
三星NAND晶圆投片量趋于保守 产能利用率维持在60%以下
三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。
SK海力士计划为HBM添加计算、缓存、网络内存等功能
据业内人士透露，SK海力士计划为HBM添加大量新功能，例如计算、缓存、网络内存等。为此，该公司已开始获取半导体设计资产（IP）。
三星2nm工艺EUV层数相比3nm将增加30%
与3nm工艺相比，三星2nm工艺节点的EUV层数将增加30%，这意味着芯片可容纳更多电路，目前该公司3nm工艺节点有20个EUV层。
三星电子工会宣布发起全国大罢工
有媒体报道称，韩国韩国科技大厂三星电子工会今天宣布发起全国大罢工，并表示在改善薪酬和休假福利等要求得到满足前，将会持续奋战。
SK海力士Q1合同负债增超61亿元
据消息，据SK海力士今日最新提交的季度报告显示，截至今年第一季度末，SK海力士预付款和合同负债分别达到561亿韩元和27459亿韩元，其中，合同负债仅一个季度就增加了超过1.16万亿韩元（约合61.79亿元人民币）。业内认为，合同债务增加主要是因为SK海力士从英伟达等主要客户那里收到了额外预付款。
消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出
据韩媒报道，根据其掌握的三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。
总投资20亿元，中宜创芯碳化硅半导体粉体产线项目一期达产
据消息，近日，河南中宜创芯发展有限公司碳化硅半导体粉体500吨生产线成功达产，已在国内二十多家企业和研究机构开展试用和验证。
