三星和SK海力士正在提高DRAM产量 将恢复至削减前水平
随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。
三星NAND晶圆投片量趋于保守 产能利用率维持在60%以下
三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。
全球演讲招募丨GSIE 2025会议寻觅行业之光，共赴“芯”盛宴！
随着中国西部电子信息产业的快速发展及川渝双城经济圈建设深入推进，川渝地区电子信息制造已成为全国首个跨省域国家级先进制造业集群，跻身中国大陆第三、全球前十的电子信息制造业聚集地。川渝两地持续通过建机制、搭平台、强联动，推动产业协同发展，积极打造具有国际竞争力的万亿级电子信息产业集群。
AMD计划在台湾设立研发中心
据报道，经证实，5月20日，超威半导体（AMD）计划在中国台湾地区投资50亿元新台币（约合人民币11.22亿元）设立研发中心。
英特尔18A工艺计划上半年开始流片
自英特尔官方网站消息，近日，英特尔更新了其半导体Foundry相关页面的介绍，并宣布其Intel 18A工艺准备就绪，计划于今年上半年开始流片。
1.5亿美元，这座12英寸晶圆厂获台积电技术授权
昨日（6月26日），晶圆代工厂商世界先进发布公告称，旗下新加坡子公司VSMC董事会同意向台积电取得无形资产。
印度首个自研芯片将在今年投产
日前，印度电子与信息技术部长阿什温・瓦伊什诺（Ashwini Vaishnaw）宣布，印度首个自主研发的半导体芯片将于今年投入生产。
博世将获美芯片补贴扩产SiC半导体
据媒体报道，美国商务部13日宣布，已与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议，向其提供至多2.25亿美元补贴，用于在加州生产碳化硅（SiC）功率半导体。
中兴微电子亮相ICDIA 2025，共话RISC-V架构推动AI算力普惠化进程
7月11-12日，“第五届中国集成电路设计创新大会暨IC应用生态展”（ICDIA创芯展）在苏州盛大开幕。
台积电3nm家族最新进度：N3E已有多家大客户采用 N3P已完成认证
台积电日前分享了公司3nm（N3）家族最新进度。其中，N3E已按计划于去年第四季开始量产，目前N3E已有多家大客户采用；N3P制程计划今年下半年量产，已完成认证，良率表现已接近N3E。
