三星NAND晶圆投片量趋于保守 产能利用率维持在60%以下
三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。
总规模10亿元！苏创高端装备创新产业基金发布
9月4日，苏创投“专精特新”科创企业投融资对接会暨苏创高端装备创新产业基金发布仪式在吴江区举行
预计台积电、英特尔今年内建成2nm晶圆厂
国际半导体产业协会（SEMI）表示，芯片巨头台积电和英特尔预计将在今年内完成2nm或以下晶圆厂建设。
IBM、Rapidus展示多阈值电压GAA晶体管研发成果，有望用于2nm制程
自IBM官方获悉，日前，IBM和日本芯片制造商Rapidus在 2024 IEEE IEDM 国际电子器件会议上展示了两方合作的多阈值电压GAA晶体管研发成果，这些技术突破有望用于Rapidus的2nm制程量产。
半导体先进制程电子特气生产基地项目落地合肥肥东
据消息，日前，肥东县政府与上海启元气体正式签署半导体先进制程电子特气国产化项目投资合作协议。
联合光电拟收购长益光电100%股权
联合光电5月19日发布晚间公告称，公司拟以发行股份等方式购买长益光电100%的股权，并募集配套资金。
TCL科技拟收购深圳华星半导体21.53%股权
据消息，3月3日，TCL科技集团股份有限公司发布公告称，拟通过发行股份及支付现金的方式购买深圳市重大产业发展一期基金有限公司持有的深圳华星半导体显示技术有限公司21.5311%股权，并募集配套资金。
台积电3nm家族最新进度：N3E已有多家大客户采用 N3P已完成认证
台积电日前分享了公司3nm（N3）家族最新进度。其中，N3E已按计划于去年第四季开始量产，目前N3E已有多家大客户采用；N3P制程计划今年下半年量产，已完成认证，良率表现已接近N3E。
SK海力士计划为HBM添加计算、缓存、网络内存等功能
据业内人士透露，SK海力士计划为HBM添加大量新功能，例如计算、缓存、网络内存等。为此，该公司已开始获取半导体设计资产（IP）。
三星2nm工艺EUV层数相比3nm将增加30%
与3nm工艺相比，三星2nm工艺节点的EUV层数将增加30%，这意味着芯片可容纳更多电路，目前该公司3nm工艺节点有20个EUV层。
