国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台建成发布
据深圳平湖实验室官微消息，11月15日，国家第三代半导体技术创新中心深圳综合平台建成发布仪式隆重举行。
天岳先进正加快扩建8英寸碳化硅衬底产能
日前，上海临港管委会网站发布的环评公示显示，上海天岳利用“现有厂区内增加生产设备开展8英寸碳化硅晶片生产线建设，并对现有6英寸碳化硅晶片部分工艺进行改造”。上海天岳为天岳先进全资子公司。
消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出
据韩媒报道，根据其掌握的三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。
赛微电子：公司已开展深圳产线建设，氮化镓芯片仍处于工艺开发阶段
据消息，3月5日，赛微电子在投资者互动平台表示，公司深圳产线的相关工作正在开展中。
民德电子拟参与浙江广芯微电子4.9180%股权转让竞拍
11月14日，民德电子发布公告称，公司拟使用自有/自筹资金参与竞拍丽水市绿色产业发展基金有限公司(简称“丽水绿色基金”)持有的浙江广芯微电子有限公司(简称“广芯微电子”)4.9180%的股权，起拍底价3550万元。
SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 4.0”
SK海力士5月9日宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。
Amkor获至多4亿美元资助用于封测厂建设
当地时间7月26日，美国商务部宣布与安靠（Amkor）签署了一份不具约束力的初步备忘录。
SK海力士：明年HBM需求仍将大于供应
近日，SK海力士（SK Hynix）在其最新发布的报告中表示，公司HBM产能有限，无法满足客户的所有需求；预计明年HBM的需求将高于预期，明年HBM需求仍将大于供应。
喆晶睿研一站式良率提升实验室平台项目开工
据消息，近日，合肥喆晶睿研半导体科技有限公司国产化制造一站式良率提升实验室平台项目正式开工，项目建成投用后，将为集成电路产业强链、延链、补链提供有力支撑。
