英特尔将搁置在意大利的投资
据外媒报道，意大利工业部周四表示，英特尔推迟了在意大利的投资计划，此前在2022年3月首次提出的建设先进封装和芯片组装工厂的项目尚未确定。
普赛斯高端光电芯片装备研发生产基地项目投产
据消息，日前，武汉普赛斯电子股份有限公司（简称“普赛斯电子”）暨全资子公司武汉普赛斯仪表有限公司（简称“普赛斯仪表”）乔迁仪式在东湖综保区举行。
士兰微：签署8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目投资合作协议
据士兰微公告，拟与厦门半导体投资集团有限公司、厦门新翼科技实业有限公司共同向子公司厦门士兰集宏半导体有限公司增资41.5亿元并签署《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目之投资合作协议》，产能规模6万片/月，其中第一期项目总投资70亿元；第二期投资50亿元。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5万片/月的生产能力，与第一期的3.5万片/月的产能合计形成6万片/月的产能。
SK海力士首次向客户提供12层HBM4样品，预计下半年量产
自SK海力士官网获悉，3月19日，SK海力士宣布推出面向AI的超高性能DRAM新产品12层HBM4，并且全球首次向主要客户提供了其样品。
三星HBM3E签30亿美元大单
据消息，三星已经与AMD签订价值30亿美元的新协议，将供应HBM3E 12H DRAM，预计会用在Instinct MI350系列上。据称，三星还同意购买AMD的GPU以换取HBM产品的交易，但是具体的产品和数量暂时还不清楚。
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后摩尔时代，先进封装作为突破摩尔定律的一个重要方向，市场前景广阔，将成为半导体行业增长的新拐点。
英飞凌居林200mm碳化硅晶圆厂第一阶段建设完成
英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅（SiC）功率晶圆厂的第一阶段建设。
国内一存储芯片测试总部基地正式开业
中山晶存是晶存科技的存储芯片测试总部基地，目前初步建成运营，主要测试DRAM、eMMC、UFS等芯片产品，广泛应用于手机、平板、OTT盒子、车载、人工智能和物联网等领域。
