三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线
据韩媒报道，三星电子已于第四季度在平泽P2厂建立10nm级（1d）的第七代DRAM测试线。
联电与英特尔合作开发12nm制程 2027年量产
在5月28日的年度股东大会上，联电（UMC）首席财务官刘启东宣布，与英特尔（Intel）合作开发的12nm制程是联电当前最重要的发展计划之一，预计将在2027年实现量产。此项合作自2024年初宣布以来，旨在应对快速增长的移动通信和网络基础设施市场。
台积电美国3nm晶圆厂完工，2027年量产在即
台积电在美国亚利桑那州的3nm晶圆厂建设已于近期顺利完工，预计将在2027年开始量产。
合肥芯谷微电子砷化镓晶圆制造线首台设备搬入
据合肥芯谷微电子官微消息，5月19日，合肥芯谷微电子砷化镓晶圆制造线项目迎来重要节点——首台核心设备高温离子注入机顺利move in。
总投资55亿元，全球首条3000mm超宽幅偏光片项目动工
据消息，6月26日，总投资55亿元的恒美光电（二期）全球首条3000mm超宽幅偏光片项目在苏州昆山动工建设，将助力全球超大尺寸屏幕实现“零的突破”。
格力：SiC工厂整套环境设备均为自主制造
自央视频官方获悉，格力电器董事长董明珠在纪录片中，再次回应外界对格力造芯片质疑，并谈到了格力建设的芯片工厂，直言“是大家把芯片看得太神秘”。
联电新加坡厂扩建落成，一期投资超363亿元
据联电（UMC）官网报道，4月1日，联电宣布在新加坡举行扩建新厂开幕典礼，新厂第一期将自2026年开始量产，预计将使联电新加坡Fab 12i厂总产能提升至每年超过100万片12吋晶圆。
星曜半导体完成收购韩国威盛旗下天津封测工厂
近日，浙江星曜半导体有限公司(Starshine)正式完成对韩国威盛(Wisol)公司旗下天津封测工厂(天津威盛电子有限公司)的收购。
