晶盛机电成功研发12英寸导电型SiC晶体
日前，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型碳化硅（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。
南亚科定制内存项目有望2026年取得验证
据台媒报道，南亚科技正在AI DRAM加速布局，力争在三大原厂全力争夺HBM市场的环境下，从定制领域分得一杯羹。
高通考虑向半导体公司Alphawave发出收购要约
当地时间4月1日，高通确认，正考虑向在英国上市的半导体公司Alphawave IP Group发出收购要约。声明
超84亿，半导体设备大厂出手！
近日，据外媒报道，美国半导体设备大厂泛林集团（Lam Research）将在印度卡纳塔克邦投资1000亿卢比（约合人民币84.12亿元）。
总投资50亿元，先导科技集成电路核心零部件及系统总部基地项目落地临港
据上海临港官微消息，日前，临港新片区管委会、临港集团、先导科技集团在广州共同签署项目投资协议，先导科技集成电路核心零部件及系统总部基地项目正式落地临港新片区。
日月光推出具备TSV的FOCoS-Bridge先进封装技术
据台媒报道，日月光宣布推出具备硅通孔(TSV)的扇出型基板上晶片桥接技术(FOCoS-Bridge)，推动人工智慧(AI)技术发展，并加速AI对全球生活的深远影响。
光迅科技拟募资35亿元，加码高速光模块产能和研发
11月25日，光迅科技发布公告称，公司2025年度向特定对象发行股票申请获深圳证券交易所受理。
规模百亿，诚通科创（江苏）基金设立
据诚通科创官微消息，7月11日，中国诚通与江苏省人民政府在南京签署框架合作协议，共同推动设立规模100亿元的诚通科创（江苏）基金。同时，诚通科创（北京）基金拟落地江苏的2只子基金相关框架协议也同步签约。
NEO Semiconductor推出全球首款X-HBM架构
自NEO Semiconductor官网获悉，日前，NEO Semiconductor宣布推出全球首个用于人工智能芯片的超高带宽内存 (X-HBM) 架构。
