三星首款3nm可穿戴芯片发布，采用面板级封装
日前，三星官网正式发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000，将首搭在Galaxy Watch 7上。该产品应用了先进制造工艺和封装方法，提高性能的同时有助于减小体积，为电池预留更大空间，从而延长续航，也为智能手表的设计增添了灵活性。
RISC-V工委会正式成立
RISC-V工委会是从事RISC-V 产业领域相关单位及组织等自愿组成的全国性、行业性、非营利性社会团体，是中国电子工业标准化技术协会（简称“中电标协”）所属分支机构
大基金二期完成入股士兰明镓
厦门士兰明镓化合物半导体有限公司成立于2018年2月，经营范围包括集成电路制造、光电子器件及其他电子器件制造等
果纳半导体海宁生产基地投产仪式举行
7月1日，上海果纳半导体海宁生产基地投产仪式隆重举行。海宁基地的投产将使果纳的生产能力大幅度提高，在拓展产能、满足订单快速提升需求的同时，也将为公司后续产品的研发和量产提供有力的平台支撑。
青禾晶元总部落户天津
据“滨海发布”公众号消息，近日，北京青禾晶元半导体科技有限责任公司迁址天津滨海高新区，更名为青禾晶元半导体科技（集团）有限责任公司，成为青禾晶元全国总部和上市主体。
SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术
据消息，SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合，目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂，用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱，并直接键合焊盘，这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠，并增加带宽
三星1nm制程量产时间或提前至2026年
三星代工业务部门将于6月12日至13日在美国硅谷举办代工与SAFE论坛。届时，其将公布其最新的技术路线图，1nm量产计划将从2027年提前到2026年。
三星：未来十年单颗SSD的容量可达1PB
据三星半导体消息，三星预计，在未来十年单颗SSD的容量可达1PB（一千万亿字节）。三星表示，基于3D制造工艺的NAND闪存产品的数据存储能力正在不断提高，这种演变发生在物理缩放技术、逻辑缩放技术、32DIE堆叠封装三个领域
