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芯闻快讯

12月13日芯闻：我国对美提起诉讼；大陆晶圆新厂数量全球第一；IBM宣布与日企推进2nm生产；龙芯中科3A6000流片；苹果对日本投资超千亿美元；IQM与是德科技签署谅解备忘录

12月13日芯闻：我国对美提起诉讼；大陆晶圆新厂数量全球第一；IBM宣布与日企推进2nm生产；龙芯中科3A6000流片；苹果对日本投资超千亿美元；IQM与是德科技签署谅解备忘录

龙芯中科在投资者互动平台表示，目前 3A6000 处于流片阶段，还没有开始销售。3A7000 芯片还没有开始研发。数据显示，龙芯 3A6000 PC 处理器采用了 3C5000 服务器处理器相同的 12nm 工艺，仿真跑分相比现款 3A5000 系列提升 30%，浮点性跑分相比 3A5000 系列提升 60%。（IT之家 ）
芯闻快讯 2022年12月13日
三星首款3nm可穿戴芯片发布，采用面板级封装

三星首款3nm可穿戴芯片发布，采用面板级封装

日前，三星官网正式发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000，将首搭在Galaxy Watch 7上。该产品应用了先进制造工艺和封装方法，提高性能的同时有助于减小体积，为电池预留更大空间，从而延长续航，也为智能手表的设计增添了灵活性。
芯闻快讯 2024年07月10日
无锡迪思高端掩模正式通线，首套90nm产品顺利交付

无锡迪思高端掩模正式通线，首套90nm产品顺利交付

近日，无锡迪思微电子有限公司（以下简称“无锡迪思”）高端掩模项目完成关键设备安装调试，产线顺利贯通，并完成首套90nm高端掩模产品的生产与交付，标志着无锡迪思技术能力实现新跨越，向成为中国大陆技术、产能双领先的开放式掩模公司，又迈出坚实的一步。
芯闻快讯 2024年07月16日
清纯半导体与士兰微电子继续深化碳化硅合作

清纯半导体与士兰微电子继续深化碳化硅合作

据清纯半导体官微消息，1月7日，清纯半导体与士兰微电子2024年终总结会在杭州士兰微电子股份有限公司顺利举行。双方全面回顾了过去一年来在研发、代工、量产和产业协同上的合作情况，并面向2025年，围绕技术研发、新品规划、产品量产和8寸线产能合作进行了深入探讨。 据悉，清纯半导体将与士兰微电子深化技术合作，推动第二代SiC MOSFET量产爬坡，双方将共同开发包括沟槽型SiC MOSFET等新产品，同时为士兰微电子8寸碳化硅量产线提供技术支撑。士兰微电子将为清纯半导体提供充足的产能保障，其正在建设的8寸碳化硅
芯闻快讯 2025年01月10日
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