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IC-SRDI2026 :注册10亿通富微电(深圳)微电子有限公司已正式成立

近日,国内半导体封测领域龙头企业通富微电在战略布局上再落一子。天眼查及企查查等公开信息显示,通富微电(深圳)微电子有限公司已正式成立,该公司由通富微电子股份有限公司(以下简称“通富微电”)全资持股,注册资本高达10亿元人民币。工商信息显示,这家新成立的公司法定代表人为石磊先生。石磊先生现任通富微电董事长兼总裁,在半导体行业拥有丰富的管理经验,此次亲自挂帅深圳新公司,足见通富微电对此番布局的高度重视

IC-SRDI2026:力源信息预计上半年净利增长超206% AI及新能源业务驱动

力源信息7月19日发布2026年半年度业绩预告,预计归属于上市公司股东的净利润为盈利2.95亿元至3.05亿元,较上年同期的9,613.04万元增长206.87%至217.28%;扣除非经常性损益后的净利润预计为盈利2.97亿元至3.07亿元,较上年同期的9,099.49万元增长226.39%至237.38%。力源信息在公告中表示,2026年上半年半导体行业持续保持高景气度,公司把握市场机遇积极拓

IC-SRDI2026:晶合集成半年报勾勒成长“新曲线”:结构优化与制程升级双轮驱动

8月24日晚间,晶合集成(688249.SH)发布了2026年半年度报告。数据显示,公司上半年实现营业收入59.57亿元,归母净利润2.45亿元。经营层面释放出更为积极的信号——经营活动产生的现金流量净额达27.98亿元,同比大幅增长64.10%。公司预计2026年第三季度收入约32亿元至33亿元,毛利率约25%至27%。透过这份半年报,一个产品结构持续优化、先进制程加速突破、积极拥抱AI产业机遇

IC-SRDI2026:“李宁成杯” 先进焊接材料应用案例大赛初审结果揭晓!11 个案例晋级!

由国际焊接权威专家、IEEE Fellow 李宁成博士发起、广东省集成电路协会、智微堂-先进电子制造交流平台与未来半导体联合主办、配套 IC-SRDI2026 中国集成电路专精特新展览会同期举办的 “李宁成杯” 先进焊接材料应用案例大赛初审结果揭晓。历经专家评委的严格评审,李宁成杯 2026 届赛事初审工作已圆满完成。感谢各参赛队伍的踊跃申报与潜心打磨,经综合评议,共有 11个案例从众多项目中脱颖

IC-SRDI2026:四万亿长鑫!资本市场投下“信任票”

8月17日,长鑫科技(688825.SH)收报61.80元,大涨12%,总市值达4.13万亿元,续创上市以来新高。成交逾335亿元,换手率12.57%;单日市值劲增逾4428亿元,总市值突破4万亿至4.13万亿元。上市至今不到一个月,这家国产DRAM龙头已从发行价对应市值约5792亿元起步,接连突破四道万亿关口!就在四天前,长鑫科技已超越腾讯,正式成为我国市值最大上市公司。4万亿元是什么概念?约等

IC-SRDI2026:A股市值最高公司!长鑫科技上市首日高开471.59%

7月27日,国产存储龙头长鑫科技上市首日高开471.59%,报49.50元/股,总市值达3.31万亿元。作为中国第一、全球第四的存储龙头,长鑫科技登陆科创板备受瞩目。长鑫科技发行价为8.66元/股,募资总额达579.19亿元,刷新科创板IPO最高募资纪录。按278.01%的全部新股平均涨幅计算,长鑫科技的单签盈利约1.2万元;按466.67%的科创板新股平均涨幅计算,长鑫科技的单签盈利约2.02万

IC-SRDI2026:上半年业绩大幅扭亏背后,安凯微开启端侧AI平台型增长新阶段

安凯微这份半年报,数字本身就足够抓人眼球。营收4.36亿元,同比增长86%;归母净利润4027万元,上年同期是亏损4925万元;毛利率从15.29%跳到39.64%,增加了24.35个百分点。但笔者想聊的不是这些数字,而是数字背后那个更值得琢磨的问题——这家公司到底发生了什么,凭什么能在短短一年内,从亏损五千万到盈利四千万?这种变化是一次性的运气,还是某种结构性转变的开始?带着这个问题,笔者反复琢

IC-SRDI2026:四会富仕在玻璃基板方面有一定的技术积累

7月8日四会富仕(300852.SZ)在互动平台表示,公司在玻璃基板方面有一定的技术积累,并申请了相关的发明专利,但目前未有玻璃基板量产出货。近日,四会富仕泰国子公司一品电路有限公司二期工厂正式奠基。这次扩建不是简单的产能叠加,而是引入mSAP(改良型半加成法)生产线,瞄准AI赛道。四会富仕2023年启动泰国基地,一期工厂2024年6月投产,主攻多层板和HDI板,面向东南亚及欧美客户。二期导入mS

IC-SRDI2026:全球首款4层3D DRAM存算一体芯片成功回片并点亮

近日,谦合益邦宣布,其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮。此芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术,在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成,使得计算单元与存储单元在三维空间中深度融合。该芯片以逻辑层为基底、4层DRAM堆叠其上的"4+1"三维堆叠架构,将三维集成原生计算架构的工程落地推进到4层堆叠的全新高度,将垂直扩展能力