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IC-SRDI2026:华天科技扇出型封装 应对芯片热失效挑战

有研究表明,约50%以上的电子产品失效是芯片结温攀升引起的热失效导致的。随着芯片晶体管密度不断提高,功率密度水涨船高,热耗规模也随之爆发。如今,封装热设计已成为决定电路过流能力和未来集成电路发展的关键瓶颈之一。传统封装散热受限,FOPLP成高效散热优选以SOP、QFP、QFN等封装形式为代表的传统封装大多依赖于引脚与引线框架散热,不仅热路径长,热损耗大,且散热效率低下,难以满足中高功率密度器件的散

IC-SRDI2026:长电科技公布2025年股票期权激励计划,1772.23万份授予激励对象

2026年8月21日,江苏长电科技股份有限公司发布2025年股票期权激励计划激励对象名单(授权日)公告。激励对象总体情况方面,董事、首席财务长梁征获授10.00万份,占授予总数0.56%,占本次授予时股本总额0.006%;董事会秘书袁燕获授7.50万份,占授予总数0.42%,占本次授予时股本总额0.004%;职工董事马岳获授6.50万份,占授予总数0.37%,占本次授予时股本总额0.004%;中层

IC-SRDI2026:四万亿长鑫!资本市场投下“信任票”

8月17日,长鑫科技(688825.SH)收报61.80元,大涨12%,总市值达4.13万亿元,续创上市以来新高。成交逾335亿元,换手率12.57%;单日市值劲增逾4428亿元,总市值突破4万亿至4.13万亿元。上市至今不到一个月,这家国产DRAM龙头已从发行价对应市值约5792亿元起步,接连突破四道万亿关口!就在四天前,长鑫科技已超越腾讯,正式成为我国市值最大上市公司。4万亿元是什么概念?约等

IC-SRDI2026:力成拟2027年量产AI芯片面板级封装,或早于台积电

中国台湾封测厂力成科技(Powertech Technology)计划最快于2027年初启动面板级先进封装量产,面向服务器CPU、AI计算芯片及先进光学等应用。若按计划推进,力成有望早于台积电导入面向AI芯片的下一代面板级封装技术。力成董事长蔡笃恭表示,公司计划至2027年投资超过700亿元新台币(约22亿美元),在中国台湾新竹建设面板级封装产线。与传统圆形晶圆级封装不同,面板级封装采用大尺寸矩形

IC-SRDI2026:三年首见!硅晶圆涨价10%,环球晶、台胜科、合晶喜迎红利

半导体硅晶圆出现新冠疫情过后首次大涨价,涵盖6英寸、8英寸、12英寸等全系列规格,涨幅一成起跳。法人看好,半导体硅晶圆报价三年多来首度调升,环球晶、台胜科、合晶等三大中国台湾地区主要硅晶圆供应商将喜迎涨价红利,营收、获利同步看俏。针对涨价议题,全球前三大半导体硅晶圆厂环球晶表示,近期确实看到部分终端市场需求逐步改善,产业链库存调整也较过去健康。不过,价格仍需视不同产品、规格及客户情况而定,该公司不

IC-SRDI2026:日本7月半导体制造设备出口增长40.9%

根据8月20日公布的官方数据,受能源和半导体价格上涨推动,日本7月连续第三个月出现贸易逆差。日本财务省初步数据显示,7月出口总额达到11.5万亿日元(约合727亿美元),同比增长23.2%。出口连续第11个月增长,创下月度新高。进口总额达12.1万亿日元,同比增长27.8%。贸易逆差达6345亿日元,连续第三个月出现逆差,较6月份的4099亿日元有所扩大。进出口额均创下单月历史新高。汽车出口增长1

IC-SRDI2026:全球首款4层3D DRAM存算一体芯片成功回片并点亮

近日,谦合益邦宣布,其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮。此芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术,在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成,使得计算单元与存储单元在三维空间中深度融合。该芯片以逻辑层为基底、4层DRAM堆叠其上的"4+1"三维堆叠架构,将三维集成原生计算架构的工程落地推进到4层堆叠的全新高度,将垂直扩展能力

IC-SRDI2026:新思科技与英特尔代工深化合作:面向Intel 14A工艺打造AI驱动的全栈芯片设计“加速引擎”

面向 Intel 14A 设计的经认证 AI 驱动 EDA 流程与多物理场分析:提供电源完整性、热效应和电磁效应的早期洞察,提升设计可预测性并加快设计收敛。从 DTCO 到系统感知协同优化:将协同优化扩展至芯片、封装、IP 和系统层面,支持系统级实现并获得最佳 PPA。多芯片系统与先进封装领先能力:新思科技 3DIC Compiler 平台将从设计探索到签核的支持扩展至采用英特尔 EMIB 和 E

IC-SRDI2026:【IPO一线】江波龙通过港交所聆讯 拟择日上市

8月23日,香港交易所披露,深圳市江波龙电子股份有限公司(以下简称“江波龙电子”或“公司”)已通过上市聆讯,将择日挂牌上市。根据招股文件,本次募资将用于投资中国区研发、扩大整体产能(重点投资苏州及巴西工厂)、加强销售及营销以提升自有品牌(雷克沙、FORESEE及Zilia)的全球知名度,并用于战略投资及/或收购,目标包括上游芯片设计公司及可巩固区域市场地位的存储产品公司,目标管理团队须具备半导体存

IC-SRDI2026:日政府传拟对晶圆代工厂Rapidus追加出资1,500亿日元

日本官民合作设立的晶圆代工厂Rapidus目标2027年度下半年量产2纳米芯片。而传出日本政府计划追加出资Rapidus,出资额为1,500亿日元,预估2027年度结束前(2028年3月底之前)日本政府对Rapidus的援助金额(出资额+补助额)合计将达约3万亿日元。综合日本媒体21日报导,日本经济产业省将在2027年度预算编列要求中,编列一笔1,500亿日元的资金,为对Rapidus出资款。截至