IC-SRDI2026:全球首款4层3D DRAM存算一体芯片成功回片并点亮
近日,谦合益邦宣布,其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮。此芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术,在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成,使得计算单元与存储单元在三维空间中深度融合。该芯片以逻辑层为基底、4层DRAM堆叠其上的"4+1"三维堆叠架构,将三维集成原生计算架构的工程落地推进到4层堆叠的全新高度,将垂直扩展能力
