imec首次展示CFET晶体管，将在0.7nm A7节点引入
自比利时微电子研究中心（imec）官网获悉，6月18日，在2024 IEEE VLSI技术与电路研讨会（2024 VLSI）上，imec首次展示了具有堆叠底部和顶部源极/漏极触点的CMOS CFET器件。
投资至多20亿美元，安森美将在捷克建立先进SiC生产基地
据安森美（onsemi）官网消息，为满足电气化、人工智能所带来的对先进功率半导体的需求，安森美宣布计划在捷克共和国建立一个最先进的垂直集成碳化硅（SiC）制造工厂。
4nm→2nm，三星或升级美国德州泰勒晶圆厂制程节点
根据韩国媒体Etnews的报导，晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术，从原计划的4纳米改为2纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季做出最终决定。
台积电获英特尔3nm CPU订单
据业内人士透露，台积电已经获得英特尔即将推出的笔记本电脑（PC）处理器系列的3nm芯片订单，晶圆生产已开始。
科大立安中标安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目
近日，辰安科技子公司科大立安成功中标“安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目”。
英伟达将收购软件初创公司Shoreline
知情人士表示，英伟达已同意收购Shoreline.io，这是一家由前亚马逊AWS高管创立的面向软件开发者的初创公司。这笔交易于最近达成，对Shoreline的估值约为1亿美元。
三星将于2027年推出1.4nm工艺、BSPDN背面供电及硅光子技术
三星晶圆代工部门近日透露，预计将于2027年推出1.4nm制程工艺、芯片背面供电网络（BSPDN）和硅光子技术。
南智光电晶圆级薄膜铌酸锂PDK正式发布
据消息，近日，由南智先进光电集成技术研究院有限公司（下简称“南智光电”）主导的晶圆级薄膜铌酸锂器件工艺开发包（Process Design Kit，简称PDK）1.0版正式发布。
年产36万片碳化硅晶圆！长飞先进武汉基地封顶
6月18日，年产36万片碳化硅晶圆的长飞先进武汉基地主体结构封顶。该基地是武汉新城诞生的第一个项目，主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，致力于打造一个集芯片设计、制造及先进技术研发于一体的现代化半导体制造基地。
三星做出重大决定，投资GPU
三星电子在其管理委员会内做出重大举措，决定投资图形处理单元（GPU）。虽然投资的具体细节尚未披露，但它与存储半导体和代工服务等通常占据讨论主导地位的典型议程主题不同，这一点引人注目
德国蔡司创新中心在新竹成立 要以尖端半导体检测服务厂商
来自德国的光学技术先驱蔡司18日宣布位于新竹科学园区、斥资3亿多元打造的首座台湾创新中心正式落成，第一阶段将引进电子、光学与3D X-ray显微镜的尖端半导体检测分析解决方案，结合人工智慧（AI）与独家关联技术，提升检测品质、改善生产效率与良率。
全芯微DFN QFN封装项目签约广东罗定
据消息，6月17日，罗定市人民政府与深圳卓锐思创科技有限公司举行全芯微DFN QFN封装项目签约仪式。
总投资120亿元，士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片制造生产线开工
据消息，6月18日上午，士兰集宏8英寸碳化硅功率器件芯片制造生产线项目在海沧开工。
三井化学将量产光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻机
日前，日本三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线，开始量产半导体最尖端光刻机的零部件产品（保护半导体电路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代产品）。
通富微电“多芯片封装方法”专利获授权
天眼查显示，通富微电子股份有限公司近日取得一项名为“多芯片封装方法”的专利，授权公告号为CN112490186B，授权公告日为2024年6月14日，申请日为2020年11月25日。
鸿海再夺英伟达大单 独家供货GB200交换器
鸿海（2317）抢攻AI商机再传捷报，继取得大份额英伟达（NVIDIA）GB200 AI服务器代工订单之后，独家拿下GB200关键元件、有「提升算力法宝」之誉的NVLink交换器（switch）大单，订单量是服务器机柜量上看七倍，不仅是全新订单，毛利率也远高于服务器组装，将成为助攻鸿海毛利一大利器，获利进补。
