三井化学将量产光刻薄膜新品，支持ASML下一代光刻机
日前，日本三井化学宣布将在其岩国大竹工厂设立碳纳米管 (CNT) 薄膜生产线，开始量产半导体最尖端光刻机的零部件产品（保护半导体电路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代产品）。
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
据消息，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
工信部：开展车用芯片、操作系统、高精度传感器等技术攻关
4月19日至21日，工业和信息化部党组成员、副部长辛国斌在上海调研时表示，开展车用芯片、固态电池、操作系统、高精度传感器等技术攻关
日本首台ASML EUV光刻机将运抵，用于Rapidus晶圆厂试产
据日媒报道，日本半导体代工企业Rapidus购入的第一台ASML EUV光刻机将于2024年12月中旬抵达北海道新千岁机场，这也将成为日本全国首台EUV光刻设备。
富加镓业4英寸VB法氧化镓衬底性能达到国际先进水平
据杭州光学精密机械研究所官微消息，杭州光机所孵育企业杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）在垂直布里奇曼（VB）法氧化镓晶体生长领域取得重大突破，经测试单晶质量达到国际先进水平，现同步向市场推出晶体生长设备及工艺包。
盛美上海宣布推出带框晶圆清洗设备
5月22日，盛美上海宣布推出用于先进封装的带框晶圆清洗设备。该设备可在脱粘后的清洗过程中有效清洗半导体晶圆。
三星1nm制程量产时间或提前至2026年
三星代工业务部门将于6月12日至13日在美国硅谷举办代工与SAFE论坛。届时，其将公布其最新的技术路线图，1nm量产计划将从2027年提前到2026年。
国际橡塑展闪耀开幕 规模再创新高，尽显看得见的新质生产力
四月的上海，生机盎然繁花盛开。备受瞩目的“CHINAPLAS 2024 国际橡塑展”今日拉开帷幕，将一连四天（4月23 - 26日）在国家会展中心（上海）盛装绽放
马斯克为特斯拉“表决心”：今年将向英伟达购买30-40亿美元的产品！
据特斯拉首席执行官埃隆·马斯克称，该公司今年预计将从英伟达处采购价值30亿至40亿美元的产品。
美国斥资110亿美元推动半导体领域技术研究
据外媒报道，美国政府近日宣布将斥资110亿美元设立专门的研发中心，推进半导体领域的相关研究。
超微公司拟投资10亿元建电子束和光学量检测设备项目
据上海临港官微消息，2月24日，临港新片区管委会与超微半导体设备（上海）有限公司（以下简称“超微公司”）签署战略合作协议。
台积电明年资本支出冲新高 2纳米需求超预期
据消息，台积电（2330） 2025年资本支出又将冲高。业界传出，因持续加码2纳米等最先进制程相关研发加上2纳米后续需求超乎预期强劲，产能将导入南科，台积电2025年资本支出可望达320亿美元至360亿美元区间，为历年次高，年增12.5%至14.3%。
三星和SK海力士正在提高DRAM产量 将恢复至削减前水平
随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。
英飞凌推出全球首款12英寸GaN功率晶圆技术
欧洲芯片制造商英飞凌表示，它已经开发出世界上首款12英寸氮化镓(GaN)晶圆技术，希望满足高能耗人工智能数据中心和电动汽车中使用的功率半导体快速增长的需求.
芯光半导体集成电路先进测试产线项目开工
据消息，日前，芯光半导体集成电路先进测试产线项目开工。参加此次集中开工的项目共有27个，总投资118.7亿元，其中制造业项目19个，投资53.9亿元。
英伟达计划5年内在台设立研发中心
据报道，6月4日，英伟达（NVIDIA）执行长黄仁勋表示，英伟达仍会持续在台湾地区扩大规模，有意在5年内设立研发中心，可能会在台北、台南、高雄三地择一落脚，并且将雇用上千位工程师，涵盖芯片、软体、系统、人工智能等领域。另外，也将与大学合作进行创新研究。
SK会长会见台积电魏哲家，探讨AI芯片合作
据报道，6月6日，SK集团会长崔泰源（Choi Tae-won）会见台积电新任董事长魏哲家，并决定进一步加强两家公司的合作，以增强AI半导体的竞争力。
中国要求美日荷澄清是否存在芯片出口限制协议
当地时间4月3日至4日，世界贸易组织货物贸易理事会举行会议。中国在此次会议上，对“美国、日本和荷兰之间关于芯片出口限制的协议”提出关切
