马克龙正推动法国成为全球最先进半导体制造重镇
据媒体报道，法国总统马克龙在法国巴黎VivaTech会议的一场小组讨论会上表示，法国必须藉由生产全球最先进的2至10nm半导体，在全球科技供应链取得一席之地。
中国电科成功研发国内首个金刚石微波激射器
据新华网报道，自中国电子科技集团有限公司获悉，中国电科产业基础研究院重点实验室量子科研团队联合中国科学院量子信息重点实验室，成功研发国内首个金刚石氮空位色心微波激射器。
SK海力士据悉考虑新建一家DRAM工厂
财联社4月29日电，除了最近宣布的M15X计划之外，SK海力士还在考虑建设一家新的内存工厂，对在韩国、美国或其他地区建厂持开放态度。
寒武纪近50亿元定增申请获受理
自上交所官网获悉，6月4日晚间，寒武纪49.8亿元定增申请获得上交所受理。此次寒武纪再融资适用科创板“轻资产、高研发投入”企业认定标准，也是落实“科创板八条”的又一代表性案例。
传塔塔电子与恩智浦就晶圆代工与封测合作进行谈判
据印媒报道，塔塔电子正同恩智浦积极协商，就晶圆代工与OSAT（外包封测）两方面的合作展开谈判。
摩尔线程冲击“国产GPU第一股”，拟募资80亿元投向多个芯片研发项目
据上交所官网信息显示，日前，摩尔线程智能科技（北京）股份有限公司（简称“摩尔线程”）IPO申请通过上交所科创板上市委会议审议。
台积电：预计下半年量产2nm芯片，澄清与英特尔合资传闻
据报道，4月17日，台积电在法说会表示，亚利桑那第二厂建设已完成，目前正加快产能规模提升进度。亚利桑那第三厂计划在今年晚些时候开始投产。
三星组建百人工程师团队 力拼与英伟达达成HBM交易
消息称三星电子组建了一支新的HBM工程师团队，以确保从英伟达拿下数十亿美元的合约。
Amkor调整美国亚利桑那先进封测项目建设计划
据外媒报道，近日，Amkor（安靠）宣布调整其原计划在美国亚利桑那州皮奥里亚市建设的先进封测设施的选址。
三星电子完成1c纳米DRAM内存工艺开发，准备向量产转移
据韩媒报道，日前，三星电子对其第六代10nm级DRAM内存工艺1c纳米授予生产准备批准 (PRA)。这标志着三星完成1c nm内存开发，准备向量产转移。
三星电子将向印度工厂追加投资
据报道，三星电子日前宣布，公司将向印度泰米尔纳德邦斯里佩鲁姆布杜尔工厂追加投资100亿卢比（约合人民币8.54亿元），并计划新增100个工作岗位。
台积电1.4nm厂将于2025年第四季度动工
据台媒报道，经中部科学园区管理局局长许茂新证实，台积电中科1.4nm新厂将于第四季度动土。
