国内首次,镓仁半导体实现氧化镓晶体生长技术重大突破
据镓仁半导体官微消息,今年10月,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)在氧化镓晶体生长方面实现新的技术突破,基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备(非铱坩埚),采用垂直布里奇曼法(VB)成功生长出2英寸氧化镓单晶,在国内尚属首次。
芯闻快讯
2024年10月29日