铜板三强争霸带动碳氢+PTFE氟树脂双体系+石英布大涨
英伟达已正式启动下一代 M10 顶级覆铜板打样测试，适配全新 Rubin Ultra / Feynman AI服务器平台，预计2027年下半年规模化量产。继M9之后，M10将是未来两年AI硬件最确定的材料升级主线，国产供应链首次深度切入英伟达最高端算力体系。
Rubin系列芯片的地基构成
覆铜板（CCL）是AI服务器PCB的地基材料。通常采用“铜箔-树脂/增强材料（半固化片）-铜箔”的叠层结构，经过高温热压固化而成。CCL朝向超低损耗发展， 从M6快速推进至M7／M8，并加速向M9（纯碳氢树脂）迈进， 演进速度远快于过去网络世代。当下主流高端M9刚上车，下一代顶级新材料M10（碳氢+PTFE氟树脂双体系+石英布）就索票。机构表示2026 Q1正式启动联合打样、材料验证，2026 Q2出首轮测试结果，2027 下半年M10材料正式批量上车。
随着AI服务器向224Gbps甚至448Gbps高速传输迈进，Rubin系列量产导致瞬时拉货需求，加剧供需失衡，推动CCL涨价既陡升又持续。CCL厂商从2024年底开始备库存，但因产能不足“备不起”。为防范贸易商囤货，上下游均实行限购，优先保障战略合作客户。
AI服务器对高阶PCB的需求快速扩张，电子树脂、低介电玻纤布、高端铜箔以及纳米级硅微粉等关键材料正迎来新一轮升级涨价浪潮。使高阶玻纤布（Low Dk /Low Dk2）与高阶铜箔（HVLP4）成为供应链中的关键瓶颈。现阶段预估此供应紧张的情况会延续至2027年方能缓解。
PCB铜箔产能部分可转换，目前从去年过剩转为偏紧。普通树脂用量分散，影响较小铜箔从HVLP1／2升向HVLP3／4，成为AI服务器的主流规格。其中HVLP4受新平台导入的拉动， 预期将成为最紧缺的规格 。
电子玻纤波紧缺最严重。AI大幅挤占Low DK布产能，同时风电需求企稳回升，双重压力下玻璃布供不应求。龙头厂商（日东纺、台玻）已基本不接E-glass订单。玻纤布需求从E-glass转向Low Dk／ Low Dk2；业界已开始导入与验证更高阶Q-glass。 不过高阶玻纤布供应端高度集中，供应弹性极低， 已成为材料链的瓶颈。在高阶产能优先配置的排挤效应下， 供应紧张态势正逐步向E-glass延伸，对中低阶应用市场形成潜在压力 。M8/M9体系开始大量采用低Dk石英玻纤布，产能扩张周期长，织机设备受限。因此电子玻纤布供给持续偏紧，并出现明显涨价趋势。
电子树脂是覆铜板中唯一具有“可设计性”的材料。高端树脂如PPO有独立逻辑，已成为M7-M8主流材料；CH碳氢树脂进入M8-M9体系；PTFE将瞄准M10体系。碳氢树脂和聚四氟乙烯是未来最具成长性的电子树脂方向。
过去硅微粉只是普通填料，但在Rubin时代降低CTE、提高散热、降低Dk/Df、提升可靠性，都越来越依赖高性能硅微粉。其发展路径为：球形硅微粉→微米级硅微粉→亚微米级硅微粉→纳米级硅微粉，价值量和技术壁垒持续提升。
M10的商机
2026年3月，英伟达正式启动M10的供应商验证测试——不是由材料厂商送样后再匹配下游PCB厂商的工艺能力，而是将覆铜板、PCB、下游装配甚至终端场景的验证环节，同步整合在一起完成测试。在此前的M9阶段，英伟达采用的是单一供应商策略——由中国台湾地区的台光电公司独家供应，这也导致下游PCB厂商的实际供应能力被直接约束。
而在M10阶段，英伟达明确将供应商数量调整为至少三家——这一转变的核心逻辑，是规避关键材料的供应安全风险；但更重要的是，通过增加供应商数量，在供应链端引入竞争机制，将材料成本进一步压缩。这也给了此前在高端CCL领域进展缓慢的中国大陆厂商，提供了切入全球算力供应链核心的历史性窗口期。
PCB制造环节
沪电股份是英伟达M10材料测试核心合作方，深度绑定英伟达供应链，在Kyber架构平台PCB开发上领先，将率先受益于M10材料升级带来的高端PCB需求增长。
深南电路是国内高阶PCB龙头，具备50层以上超高阶PCB量产能力，与头部CCL厂商深度合作，有望承接M10材料升级带来的增量订单。
胜宏科技是英伟达国内算力板第一供应商，GB300 OAM模块5阶HDI板唯一供应商，具备高速CCL加工能力，受益于AI-PCB需求旺盛。
覆铜板（CCL）环节
在覆铜板环节最绕不开的就是这生南华三家子。三家都在做高速覆铜板，三家都在讲AI服务器的故事，但增速差了五倍多。差距背后是M等级——这是覆铜板行业按信号传输速率划分的产品代际。M9对应224Gbps，支撑英伟达GB200/GB300平台；M10对应448Gbps，指向下一代Vera Rubin。谁先通过终端认证，谁先吃到订单。三家站在这条阶梯的不同台阶上，节奏完全不同。
生益科技是国内CCL绝对龙头，M9已批量供货海外算力，M10双路线同步送样，全产业链布局最完善。生益科技在新材料、配方、加工工艺等方面具备创新能力，能够早期参与客户新品开发，这意味着在224Gbps这个速率等级上，国产高速覆铜板只有生益一家拿到了英伟达的入场券。
4月25日，生益科技公告称，公司拟投资约52亿元在东莞企石镇建设“松山湖第二工厂”高性能覆铜板项目。该项目产品定位为汽车领域、5G通讯领域和AI服务器用高频、高速产品，封装领域用封装基板材料产品及高密度产品。预计年产4800万平方米覆铜板（约3840万张）及1亿米商品粘结片。根据公告，该项目分两期建设：一期投资约30亿元，预计2028年投产；二期投资约22亿元。据公司测算，满产后预计年销售收入约92.95亿元，年利润约13.9亿元。满产后预计年销售额可达93亿元。目前2Q26新产能正在爬坡。高盛预计公司将成高端CCL迁移的主要受益者之一，2027-28年EPS增速达73%
南亚新材M6/M7/M8三个等级同时进入大规模量产和批量供应。AI方面，公司M6、M7层级材料已规模化应用于昇腾、海光系列算力产品，实现稳定量产交付，市场份额处于较高水平。M8、M9高阶材料已通过核心客户的认证测试，为下一代产品做好提前布局。此外，针对海外客户研发的M10等级材料各项测试工作稳步推进中。交换机领域，公司M7N等级材料在800G交换机领域已经进入核心客户的量产阶段；M8、M9高端材料正推进1.6T交换机NPI打样，目前整体推进态势良好.客户以国内头部算力厂商和服务器OEM/ODM为主，吃的是AI服务器整体出货增长的红利。
6月29日晚，南亚新材公告称，公司基于整体战略布局及经营发展的需要，为加快产能规划及产业布局，拟投资建设年产1400万平方米高端覆铜板研发及产业化项目，总投资额约为7.9亿元。该项目由公司全资子公司南亚新材料科技（江西）有限公司实施。项目建成后可实现年产能720万张高阶高频高速覆铜板和1600万米粘结片产品的生产能力，预计2027年三季度末投产试运行。
华正新材主打三个方向：Low CTE高速料（低热膨胀系数，适配大芯片智算场景）、无卤Ultra Low Loss（极低介质损耗，已获"国际知名芯片终端"认可），以及一个多数人没注意到的东西——CBF积层绝缘膜。华正的重心还在Low CTE和Ultra Low Loss的认证突破上，M等级对标更靠后。
3月24日，华正新材发布公告称，公司拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过12亿元（含本数），扣除发行费用后的募集资金净额将用于年产1200万张高等级覆铜板项目及补充流动资金。
上游核心树脂+材料
东材科技M9碳氢树脂国产独苗，产能锁定是英伟达认证M9/M10碳氢、氟改性树脂核心供货方，总产能4000吨（眉山3500吨高端线+老线500吨）；锁定GB300芯片封装订单，直接供货生益科技等CCL龙头。
圣泉集团是PPE树脂国产化先锋，Rubin平台直接受益，国内唯一规模化量产电子级PPE树脂龙头（市占率>70%），可生产M6-M9全系列，M9级介电损耗达0.0018，为Rubin架构指定型号，已进入英伟达供应链。适配M10新一代基材。
昊华科技子公司中昊晨光为国内唯一通过M10认证的高纯电子级PTFE树脂厂商，产能5000吨，供货生益科技、中英科技，是M10材料上游最稀缺标的。
肯特股份是PTFE薄膜改性核心技术掌握者，四氟膜产品供货生益科技用于制作高频覆铜板，已间接切入英伟达背板供应链。
美联新材控股辉虹科技，Ex苊烯碳氢树脂电性能碾压M9/M10标准，卡位英伟达M9覆铜板核心特种树脂赛道，性能优势极强。
高端玻纤
菲利华石英纤维布产品通过龙呕吐验证，是M10材料体系的核心基材之一，技术壁垒极高，全球供应格局稀缺。
宏和科技Q布产品技术储备完善，在高端低介电布领域具备竞争优势，有望受益于M10材料带来的高端布需求增长。
HVLP铜箔
隆扬电子HVLP铜箔技术领先，M10级别产品已通过台光电子、生益科技等覆铜板大厂验证，是英伟达材料升级的核心受益标的。
铜冠铜箔是国内铜箔龙头，M10级别HVLP铜箔研发中，产品性能指标优异，正在进行英伟达相关测试验证，具备产能规模优势。
继续扩产
我国覆铜板行业企业持续加大在高频高速覆铜板、IC封装基材、汽车电子用覆铜板等领域的研发投入，并取得了一定成绩。但整体来看，我国覆铜板行业与国际先进水平仍存在一定差距，高端产品供给不足的局面尚未得到根本性扭转。未来仍需持续强化研发创新，加快产品结构优化升级，推动产业链上下游深度融合与协同发展，进一步提升高端覆铜板产品的国产化水平。
从行业市场格局来看，当前全球覆铜板行业集中度偏高，市场长期由中国台湾、日本、韩国企业主导。根据Prismark统计数据，2025年全球刚性覆铜板前十大厂商合计市占率达78.90%，其中中国大陆厂商合计市场份额仅20.20%；2020至2024年全球特殊覆铜板市场年均复合增长率达9.57%，但国内企业整体市占率仅8.30%，高端覆铜板领域国产替代空间广阔。
终端需求层面，AI算力、数据中心、智能驾驶、高端智能终端持续拉动高端覆铜板增量，服务器、车载安全部件、AI手机、智能穿戴等赛道对中高阶高速、高阶HDI、中高TG材料需求持续走高，行业高端产能存在明显缺口。
2025年11月，伊帕思新材料AI高速覆铜板及封装载板基材项目签约仪式在鹤山市举行。该项目总投资25亿元，聚焦BT覆铜板、类ABF膜、AI高速覆铜板等核心产品的自主研发生产，项目首期投资10亿元，达产年产值约14亿元，二期计划投资15亿元，达产年产值约16亿元。
2025年12月，金安国纪年产4000万㎡高等级覆铜板项目正式落户宁国，项目投资15.56亿元。该项目将进一步提升金安国纪在高端覆铜板领域的产能，助力企业抢占高端市场先机，巩固行业领先地位。
2026年1月10日，台光电子二期项目开工。项目二期为AI高性能及先进半导体封装电子材料项目，总投资17亿元，项目完工后，形成年产覆铜箔基板720万张、粘合片4200万米的生产能力。
2026年1月20日，江门市建滔（开平）新一代信息技术产业园项目开工建设。项目由建滔集团投资建设，计划总投资50亿元，占地300亩，主要生产高密度互联HDI板、多层PCB、覆铜板和半固化片，应用于智能手机、人工智能、新能源汽车等领域。
2026年1月21日，总投资15亿元梅州市重大项目丰顺龙宇高端覆铜板项目开工建设。计划分三期逐步推进建设，主要生产多层压合、单双面覆铜板等电子新材料产品。
2026年5月12日，中山台光电子材料有限公司AI高性能计算及先进半导体核心材料研发制造基地新一代电子信息及AI高性能电子材料项目（中山三期）动工。
聚焦CCL国产算力地基，打通覆铜板供应链，第二届先进封装可靠性技术大会（CPRIM 2026）将于将于9月3-6日在广州中国进出口商品交易会展馆D区举办。大会将深度探讨Chiplet、2.5D/3D封装、SiP、Fan-Out、晶圆级/面板级封装等先进封装技术的最新进展、可靠性挑战及解决方案，以及在MEMS、集成电路、功率器件等领域的应用。
2026年9月3日至6日，第二十一届中国国际中小企业博览会（以下简称“中博会”）将在广州举行。作为中博会体系中最具技术深度与产业价值的专业展之一，中国集成电路专精特新展览会（IC- SRDI 2026）将以“专精驱动、链动未来”为主题，构建链接国家战略、产业链协同与全球资源配置的高能级平台，全面呈现中国集成电路企业的创新跃迁路径。 举办时间：2026年9月3日至6日 举办地点：广州中国进出口商品交易会展馆D区（广州市海珠区阅江中路168号） 主办单位：中华人民共和国工业和信息化部 承办单位：广东省工业和信息化厅、广州市人民政府 集成电路专业展执行单位：广东省集成电路行业协会、北京恒仁致信咨询有限公司（未来半导体） 联系我们：请关注“未来半导体公众号”，可预定研究展位。
