广东：大力推动刻蚀机等光芯片关键装备研发和国产化替代
据消息，广东省人民政府办公厅印发《广东省加快推动光芯片产业创新发展行动方案(2024—2030年)》。
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
台积电提前完成2纳米工艺生产设备安装
台湾媒体援引投资银行瑞银集团（UBS）的最新报告称，台湾半导体制造公司（TSMC）2025 年的资本支出将增至 370 亿美元。瑞银补充说，由于台积电采取积极措施提前部署 2 纳米芯片技术，该公司 2024 年的支出可能达到其指导值的上限，即 320 亿美元。
韩国2月半导体出口额下降 41.5%
3 月 14 日，韩国科技部今日公布了其 2 月份 ICT 出口统计数据。据悉，韩国 ICT（信息和通信技术）上个月出口额仅有 128.2 亿美元（备注：当前约 879.45 亿元人民币），同比下降 32.0%，这已经是 ICT 出口连续八个月持续下滑
北京亦庄发布RISC-V产业发展行动计划
据北京亦庄官微消息，近日，在首届RISC-V产业发展大会上，北京经开区发布RISC-V产业发展行动计划， RISC-V工委会发布多项重要成果。
新思科技与Arm强强联手，加快下一代移动SoC开发
新思科技（Synopsys, Inc.，纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，基于Arm 2023全面计算解决方案（TCS23），加强双方在人工智能增强型设计方面的合作
SK海力士定制HBM4基础裸片将从5nm升级至3nm
据韩媒报道，由于客户对先进存储器的需求，SK海力士打算改变原来的计划，以3nm取代5nm，采用更先进的工艺生产HBM4基础裸片，预计HBM4将在2025年下半年开始供货
英特尔与新思科技深化合作，提供基于英特尔先进制程节点的领先IP
英特尔表示，IFS是英特尔IDM 2.0战略的关键支柱，与新思科技的合作无疑是实现IDM 2.0转型目标的重要里程碑，将有助于芯片设计公司充分利用Intel 3和Intel 18A制程节点的优势
台积电协同旗下创意拿下SK海力士订单
据消息，继台积电独家代工英伟达、超微等科技巨头AI芯片之后，传出台积电协同旗下特殊应用IC设计服务厂创意，取得SK海力士在HBM4的关键基础介面芯片委托设计案订单。预期最快明年设计定案，将依高效能或低功耗不同，分别采用台积电12纳米及5纳米生产。
