消息称三星电子12nm级DRAM内存良率不足五成
消息称三星1b nm（12nm 级）DRAM内存良率仍不足五成。这一数据远低于80~90%的业界一般目标，三星已于上月就此成立专门工作组应对。
2023新思科技开发者大会：以创新引领航向，以远见先见未来
9月8日，芯片行业年度嘉年华“2023新思科技开发者大会”携手近3000名开发者在上海成功举办。本次大会以“远·见”为主题，通过高峰论坛、两大芯片技术先导论坛及五大覆盖前沿领域的行业技术论坛，与上百位科技行业领袖和广大开发者们一同辨析科技创新和多重技术领域的未来发展航向，以远见先见未来
总投资超200亿，长飞先进武汉基地主楼全面封顶
据长飞先进官微消息，近日，长飞先进武汉基地主楼已全面封顶，包括晶圆厂、封测厂、外延厂、宿舍区、综合楼。10月开始，长飞先进武汉基地将迎来首批设备搬入的重要节点，并于明年6月实现量产通线。
2024慕尼黑华南电子生产设备展预登记通道火热开启
2024华南国际智能制造、先进电子及激光技术博览会（简称LEAP Expo）旗下成员展慕尼黑华南电子生产设备展将于10月14-16日，再次登陆深圳国际会展中心（宝安新馆）
KAIST与三星电子签订BCDMOS技术合作协议
据韩媒报道，7月23日，韩国科学技术院(KAIST) 与三星电子签订了130纳米双极 CMOS DMOS（BCDMOS）技术合作协议。
长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法专利，有效提高评估结果准确度
天眼查知识产权信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司申请一项名为“高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法“，公开号CN202410534321.3，申请日期为2024年4月。
国内首次，镓仁半导体实现氧化镓晶体生长技术重大突破
据镓仁半导体官微消息，今年10月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）在氧化镓晶体生长方面实现新的技术突破，基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备(非铱坩埚)，采用垂直布里奇曼法(VB)成功生长出2英寸氧化镓单晶，在国内尚属首次。
2024慕尼黑华南电子展预登记开启，邀您共探电子“芯”未来
慕尼黑华南电子展(electronica South China)将于2024年10月14-16日在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办
韩国半导体材料企业报价仍在低水平 面临业绩压力
随着三星、SK海力士等公司的存储芯片产量增加，韩国材料企业的开工率维持在较高水平，但公司业绩并未得到相应改善。一位半导体材料行业相关人士表示，尽管开工率较去年有所提高，但销售价格与去年相似，加之能源价格上涨，营业利润率恶化不可避免。此外，之前存储芯片行业状况恶化时，三星、SK海力士要求材料供应商降低价格，目前仍维持这一价格水平，供应商提出提高产品价格，但这些请求尚未得到反馈。
