美光确认HBM4成功 计划2026年上半年量产
美光科技公布了强劲的业绩和积极的前景，提升了市场对内存超级周期的预期。该公司还驳斥了对第六代高带宽内存（HBM4）带宽限制的担忧，并表示有信心明年HBM产品“售罄”。
Rapidus称将建设1.4nm芯片厂
10 月 25 日消息，据外媒报道，日本先进芯片制造商 Rapidus 社长小池淳义称，若 2nm 制程量产顺利计划建设更为先进的 1.4nm 工艺第二晶圆厂。
日月光拟斥资2亿美元设立面板级扇出型封装量产线
据台媒报道，日月光集团营运长吴田玉表示，集团磨剑十年投入面板级扇出型封装（FOPLP）决定迈向设立量产线的重要里程碑，决议斥资2亿美元在高雄设立量产线，并于今年第二季度和第三季度装机、今年底试产，如果顺利的话，将于明年开始送给客户认证。
英特尔临时联席CEO：新任CEO需拥有代工经验
英特尔临时联席CEO David Zinsner表示，新任CEO将拥有制造专业知识以及产品方面的经验。
美光科技将投资70亿美元打造新加坡存储芯片厂
据媒体报道，美光科技位于新加坡的高带宽存储器（HBM）先进封装厂已于1月8日破土动工，这是新加坡第一家同类工厂。
闪迪联手SK海力士推进高带宽闪存标准化，2026年推首款样品
自闪迪Sandisk官网获悉，当地时间8月6日，闪迪宣布已与SK海力士签署了一份具有里程碑意义的合作备忘录（MOU），双方将携手制定高带宽闪存（High Bandwidth Flash, HBF）的规格。这是一种旨在为下一代人工智能推理提供突破性内存容量和性能的新技术。
高塔半导体宣布与这家公司合作加速集成光子技术创新
3月26日消息，高塔半导体与集成光子设计领域的企业Alcyon Photonics近日宣布双方将合作加速光子集成技术创新。 通过此次合作，Alcyon Photonics 将为客户提供经过硅验证的高性能光子构件 (BB) 和电路，以加速下一代光学应用的开发。
JDI晶端显示携创新传感器产品亮相，宣告战略转型新篇章
JDI的此次转型展示了传统显示巨头如何利用其技术底蕴开辟第二增长曲线，其创新的传感器产品有望为多个行业带来新的变革契机
美光计划投资约300亿元在日本新建DRAM厂
据报道，美光科技计划投入6000亿-8000亿日圆（约合人民币277-369亿元）在日本广岛县兴建新厂，用于生产DRAM芯片。
