规模百亿，诚通科创（江苏）基金设立
据诚通科创官微消息，7月11日，中国诚通与江苏省人民政府在南京签署框架合作协议，共同推动设立规模100亿元的诚通科创（江苏）基金。同时，诚通科创（北京）基金拟落地江苏的2只子基金相关框架协议也同步签约。
鸿海砸近17亿新台币取得得州2厂使用权扩AI服务器产能
鸿海代子公司Foxconn Assembly LLC.公告，取得美国得州休斯顿2座厂房租赁使用权，合约租金总额约5655.38万美元（约新台币16.98亿元），市场解读鸿海此次投资持续在得州扩充人工智能（AI）服务器产线，服务北美客户。
世界先进新加坡12吋厂进度有望超前
据报道，6月28日，世界先进（VIS）举行家庭日活动，针对新加坡VSMC 12吋厂进度，董事长方略表示，该项目去年第4季动工，经过八个月努力，所有工程进展相当顺利，2027年第1季量产行程不变，甚至可能超前。
美光科技将投资70亿美元打造新加坡存储芯片厂
据媒体报道，美光科技位于新加坡的高带宽存储器（HBM）先进封装厂已于1月8日破土动工，这是新加坡第一家同类工厂。
长川科技拟参投成立长越科技，合资公司主要从事高端封测设备国产化
公司拟与上海半导体装备材料二期私募投资基金合伙企业（有限合伙）、杭州本坚芯链股权投资合伙企业（有限合伙）共同出资设立杭州长越科技有限公司，注册资本为10,000万元，长川科技认缴出资额为5,000万元，占注册资本的50%。
联电与英特尔合作开发12nm制程，预计2027年量产
据报道，在5月28日举行的联电（UMC）年度股东大会，联电首席财务官刘启东指出，与处理器大厂英特尔合作的12nm节点制程，为联电最重要的发展计划之一，预计量产的时间点将会落在2027年。
三星计划在下一代DRAM工艺引入VCT技术
据韩媒报道，三星电子已明确将在第七代10nm级DRAM内存工艺（1d nm）后导入垂直通道晶体管（VCT）技术，相关产品预计2至3年内问世。
韩国拟投资千亿组建新晶圆代工厂KSMC
据韩媒报道，韩国政府可能将考虑创建一家由政府资助的晶圆代工厂商，暂定名为韩国半导体制造公司 （KSMC）。
摩尔线程拟募资80亿元投资多个芯片研发项目，IPO已获受理
自上交所官网获悉，6月30日，摩尔线程智能科技（北京）股份有限公司（以下简称“摩尔线程”）科创板IPO获得受理，保荐机构为中信证券。
