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IC-SRDI2026:三星涨价15%反超台积电：AI浪潮重写晶圆代工定价权

IC-SRDI2026:三星涨价15%反超台积电：AI浪潮重写晶圆代工定价权

核心观点1、涨价幅度反超台积电，定价权从“制程追赶者”转向“产能稀缺方”。三星此次先进制程涨价最高达15%，而台积电同期对核心客户的调价区间仅为5%至10%。当产能成为硬约束，报价能力不再取决于良率差距，而取决于谁有产线可以交付——三星4nm产线满载至2027年，涨价反而成为筛选客户的工具。2、AI投资扩张彻底改写代工定价逻辑，行业从“需求驱动”进入“供应驱动”模式。过去，芯片厂商基于市场预判提前
芯闻快讯 2026年08月20日
IC-SRDI2026:三星据称拟推出最高790亿美元股东回报计划

IC-SRDI2026:三星据称拟推出最高790亿美元股东回报计划

三星电子据称计划于8月21日公布新一轮股东回报方案，规模预计在90万亿至110万亿韩元之间，最高约合790亿美元，或成为公司近年来规模最大的资本回报计划之一。知情人士透露，三星电子计划于当天韩国时间下午4时左右召开董事会，并在会后公布具体方案。目前尚不清楚相关资金将在现金分红和股票回购之间如何分配，以及整个计划的实施周期。三星电子对此拒绝置评。此次股东回报计划出台之际，AI需求正推动全球存储器市场
芯闻快讯 2026年08月21日
半导体封测年会：三星加速硅光子技术研发，计划年底前完成晶圆测试

半导体封测年会：三星加速硅光子技术研发，计划年底前完成晶圆测试

三星电子已选择与台积电相同的测试设备供应商，用于其硅光子技术开发，三星计划在今年年底前完成硅光子集成电路（PIC）晶圆的内部测试。据业内人士9月7日透露，三星正在使用美国FormFactor公司和中国台湾MPI公司的探针台测试硅光子PIC晶圆。业内人士表示：“三星电子正在自行评估 PIC 晶圆，目标是在年底前完成。该公司使用的是两家供应商提供的探针台，这两家供应商均已通过台积电针对共封装光学（CP
芯闻快讯 2026年09月09日
半导体封测年会：投资400亿日元！三星在日本设立AI芯片封装研发中心

半导体封测年会：投资400亿日元！三星在日本设立AI芯片封装研发中心

据报道，三星电子在日本横滨设立人工智能芯片封装研发中心，旨在与在封装设备、材料等半导体后道工艺领域占据优势的日本企业加强合作，加快相关技术研发。该研发中心名称为“三星先进封装实验室”，总投资额为400亿日元（约合2.57亿美元），其中包括日本政府提供的225亿日元支持，占地约6600平方米，主要研究先进半导体后道工艺。报道指出，三星选择在日本设立这一研发中心，是因为日本拥有全球领先的半导体后道技术
芯闻快讯 2026年09月09日
三星高管：明年HBM将占DRAM行业产能近三成

三星高管：明年HBM将占DRAM行业产能近三成

9月29日，三星电子一位高管表示，预计明年高带宽内存（HBM）将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商晶圆总产能的近30%，高于目前的约20%。三星电子执行副总裁Kim Taewoo指出，HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能，这意味着扩大HBM产量可能会限制标准DRAM的供应。HBM是人工智能计算的关键组件，由垂直堆叠的存储芯片构成，使处理器能够高速访问海量数据。该市场主要由韩国的SK海力士
芯闻快讯 2026年09月29日
三星：明年HBM或占DRAM晶圆产能近三成，传统DRAM供应承压

三星：明年HBM或占DRAM晶圆产能近三成，传统DRAM供应承压

三星电子执行副总裁Kim Taewoo当地时间9月29日表示，预计2027年HBM将占DRAM厂商晶圆总产能的近30%，目前这一比例约为20%。Kim Taewoo指出，HBM与传统DRAM需要争夺相同的晶圆产能。因此，随着存储厂商持续扩大HBM生产，可能进一步挤压传统DRAM的供应空间。AI服务器对HBM需求的快速增长相比传统DRAM，HBM具备更高的带宽和更强的数据处理能力，已成为AI GPU
芯闻快讯 2026年09月30日
ICEPT2026：三星1.4nm工艺或将于2029年重启量产

ICEPT2026：三星1.4nm工艺或将于2029年重启量产

6月30日，据台湾《电子时报》援引全球半导体产业链一线消息，三星电子晶圆代工业务正式重启代号SF1.4的1.4纳米先进工艺商业化开发工作，已同步向蚀刻、沉积、量测、光刻等上下游核心设备厂商下达需求，要求合作伙伴提前开展该节点专属设备定制研发，为后续工艺研发、中试与试产完成供应链前置配套筹备。本次项目重启并非全新立项，而是三星内部研发资源优先级调整后的回归。产业资料显示，三星早年规划SF1.4于20
芯闻快讯 2026年07月02日