三星计划在下一代DRAM工艺引入VCT技术
据韩媒报道,三星电子已明确将在第七代10nm级DRAM内存工艺(1d nm)后导入垂直通道晶体管(VCT)技术,相关产品预计2至3年内问世。
芯闻快讯
2025年04月29日
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