深圳平湖实验室国际首发研制8英寸4°倾角4H-SiC上高质量GaN外延
据深圳平湖实验室官微消息,近日,深圳平湖实验室在GaN/SiC集成领域取得突破性进展,在国际上首次研制了商用8英寸4°倾角4H-SiC衬底上的高质量AlGaN/GaN异质结构外延(如图1)
芯闻快讯
2025年08月11日
产业资讯
