三星器兴半导体研发综合体开始设备安装
据外媒报道，当地时间周一，三星电子2022年开始在京畿道器兴建设的下一代半导体研发综合体“NRD-K”，举行了设备安装仪式，第一批设备正式开始安装，标志着这一研发综合体已从大楼的建设转向了研发设备的安装。
HBM4标准正式发布
据报道，当地时间4月16日，JEDEC固态技术协会宣布，正式推出HBM4内存规范JESD270-4，该规范为HBM的最新版本设定了更高的带宽性能标准。
意法半导体公布“重塑制造布局”计划
自意法半导体官网获悉，日前，意法半导体公布了一系列旨在重塑制造布局和调整全球成本基础的全公司计划。
傲迪特半导体携手鼎华智能启动MES项目
据消息，4月15日，傲迪特半导体（南京）有限公司（以下简称“傲迪特半导体”）携手南京鼎华智能系统有限公司（以下简称“鼎华智能”）举行MES项目启动大会。
联电新加坡Fab 12i P3新厂首批设备到厂
据联电（UMC）官网消息，5月21日，联电在新加坡Fab 12i举行第三期扩建新厂的上机典礼，首批设备到厂，象征公司扩产计划建立新厂的重要里程碑。
总投资55亿元，全球首条3000mm超宽幅偏光片项目动工
据消息，6月26日，总投资55亿元的恒美光电（二期）全球首条3000mm超宽幅偏光片项目在苏州昆山动工建设，将助力全球超大尺寸屏幕实现“零的突破”。
国产化逆导IGBT功率模块通过科技查新，打破国外垄断
据中微创芯科技官微消息，近日，中微创芯“基于国产化逆导 IGBT（RC-IGBT）的智能功率模块（IPM）设计开发及产业化”项目通过中国科学院兰州查新咨询中心科技查新
深圳平湖实验室在SiC衬底激光剥离技术领域取得重要进展
据深圳平湖实验室官微消息，为降低材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：
