软银与英特尔合作研发新型AI内存芯片，电力消耗有望减半

软银与英特尔携手开发新型AI内存芯片，旨在显著降低电力消耗，助力日本构建高效节能的AI基础设施。根据日经亚洲的报道，双方计划设计一种新型堆叠式DRAM芯片，采用与现有高带宽内存（HBM）不同的布线方式，预计将电力消耗减少约50%。

芯闻快讯 2025年06月03日 0 点赞 0 评论 169 浏览

国产量子芯片设计软件“本源坤元”成功突破设计瓶颈

国产量子芯片设计软件“本源坤元”近日完成了其第五次技术迭代，成功突破了大规模量子芯片设计的技术瓶颈

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三星与汽车芯片制造商合作开发新一代车载半导体技术

三星电子近期在汽车芯片市场的布局愈发积极，正与多家汽车芯片制造商展开深入合作。

芯闻快讯 2025年06月03日 0 点赞 0 评论 218 浏览

北京RISC-V芯片龙头企业奕斯伟计算递表港交所，冲刺“RISC-V第一股”

5月30日，北京RISC-V芯片龙头企业奕斯伟计算正式递表港交所，拟冲刺“RISC-V第一股”，聚焦智能终端与具身智能场景。

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中国科学院物理研究所发现超带隙透明导体

相关成果以“Hyper-gap transparent conductor”为题，发表在Nature Materials杂志。

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台积电在美晶圆厂正接受工艺认证，预计年内量产英伟达芯片

据外媒报道，日前，英伟达CEO黄仁勋在公司2026财年第一财季财报电话会议上，提及其生态系统合作伙伴在美国的投资建设。

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SK海力士计划10月量产12Hi HBM4内存

据韩媒报道，SK海力士计划今年10月开始正式量产HBM高带宽内存的最新迭代版本 12Hi HBM4，这一生产策略是因应英伟达计划明年推出的 "Rubin" 架构AI GPU的需求。

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华大九天：收购芯和半导体相关审计评估工作尚未完成

5月30日，华大九天披露其重大资产重组最新进展。

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陶氏公司任命黄映雪为大中华区总裁

陶氏公司（纽交所代码：DOW）宣布，陶氏包装与特种塑料大中华区资深销售总监黄映雪女士，于2025年6月1日起担任陶氏公司大中华区总裁。

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AMD收购Enosemi，加码CPO共封装光学

据报道，当地时间5月28日，AMD宣布已完成对硅光子学初创企业Enosemi的收购。

芯闻快讯 2025年05月30日 0 点赞 0 评论 222 浏览

中微公司目标5到10年内覆盖60%高端设备

据报道，5月27日，中微公司举行2024年度暨2025年第一季度业绩说明会。

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联电与英特尔合作开发12nm制程，预计2027年量产

据报道，在5月28日举行的联电（UMC）年度股东大会，联电首席财务官刘启东指出，与处理器大厂英特尔合作的12nm节点制程，为联电最重要的发展计划之一，预计量产的时间点将会落在2027年。

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基本半导体拟募资用于产能扩张，赴港上市

日前，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）正式向港交所递交上市申请，中信证券、国金证券（香港）及中银国际担任联席保荐人，这也是中国碳化硅功率器件首家赴港提交上市申请的厂商。

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日月光推出具备TSV的FOCoS-Bridge先进封装技术

据台媒报道，日月光宣布推出具备硅通孔(TSV)的扇出型基板上晶片桥接技术(FOCoS-Bridge)，推动人工智慧(AI)技术发展，并加速AI对全球生活的深远影响。

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联电与英特尔合作开发12nm制程 2027年量产

在5月28日的年度股东大会上，联电（UMC）首席财务官刘启东宣布，与英特尔（Intel）合作开发的12nm制程是联电当前最重要的发展计划之一，预计将在2027年实现量产。此项合作自2024年初宣布以来，旨在应对快速增长的移动通信和网络基础设施市场。

芯闻快讯 2025年05月29日 0 点赞 0 评论 223 浏览

三星目标今年7~8月通过英伟达HBM3E验证

《科创板日报》28日讯，三星目标在2025年7~8月通过英伟达的12层HBM3E品质验证测试。

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