据澎湃新闻，9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫存储宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）正式量产。与此同时，展出两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均达到24GB，较上一代同类型产品提升50%，目前均已进入规模量产阶段。
两款产品单颗容量均达到24GB，相较上一代同类型产品提升50%。两款产品分别采用496Ball和245Ball封装规格，可面向中高端智能手机、便携式消费电子等不同应用场景。目前，两款产品均已进入规模量产阶段。
什么是LPDDR？LPDDR全称Low Power Double Data Rate，即低功耗双倍速率同步动态随机存储器，是面向移动及低功耗应用的重要DRAM产品形态，具有低功耗、小体积等特点。
从LPDDR4/4X到LPDDR5/5X，再到后续技术演进，核心方向始终围绕容量、带宽、功耗以及封装尺寸展开。
相比产品端的24GB，更值得产业链关注的，是G5平台背后的先进工艺。长鑫存储介绍，G5平台通过创新的四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距进一步缩小至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存平台制程。
对于DRAM而言，工艺微缩并不是简单地“把尺寸做小”。随着存储单元持续缩小，晶体管、电容、位线等结构之间的工艺窗口不断收窄，同时还需要兼顾性能、可靠性以及制造良率。在DRAM制造中，电容是决定存储单元能否稳定工作的关键结构之一。随着DRAM尺寸不断缩小，如何在有限空间内维持足够的电容性能，是先进工艺持续演进过程中需要解决的重要问题。
长鑫存储表示，通过工艺流程变革及新材料应用，G5平台存储电容深宽比达到45:1。同时，长鑫存储还开发了适用于DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，并在界面工程、鞍形鳍式结构、低k间隔层位线等核心工艺环节实现突破。
如果说11.95nm、45:1等指标体现的是工艺技术能力，那么晶圆裸片产出提升 则更直接地体现了先进工艺对于制造效率的价值。对于DRAM制造而言，在晶圆尺寸相同的情况下，单片晶圆能够获得更多有效裸片，意味着单位晶圆产出效率进一步提升。
研发除了传统工艺技术突破，长鑫存储此次还披露了G5平台研发过程中的数字孪生系统。据介绍，该系统贯穿设计、开发、制造、维护等产品研发全生命周期，并在虚拟研发线上搭建先进DRAM工艺模型，以加速研发进程。随着DRAM工艺持续微缩，研发过程中需要处理的变量越来越多。数字孪生技术的引入，为工艺建模、验证和优化提供了新的研发路径。06 / AI + MEMORYAI时代，存储的重要性进一步提升当前，AI正在从云端数据中心进一步向PC、智能手机、汽车电子以及IoT设备延伸。模型参数增加、应用复杂度提升以及端侧推理需求增长，都对存储系统提出了更高要求。A
在这一背景下，LPDDR5X等高性能低功耗存储产品的重要性进一步提升。07 / INDUSTRY从G5看DRAM工艺平台化演进DRAM是一类高度依赖工艺积累的产品。从存储单元设计，到晶体管结构、电容材料、曝光工艺、互连结构，再到良率和规模制造，每一次技术迭代都需要多个环节共同推进。因此，真正具有长期价值的，并不是某一个单点技术参数，而是能否形成持续迭代的工艺平台能力。
从G5平台披露的信息来看，长鑫存储正在将多个工艺与研发环节纳入同一技术平台，持续推进DRAM先进制造能力建设。
