未来半导体报道近日，中安半导体新品发布会暨技术交流会在上海举办，会上中安半导体重磅发布新一代 10.5nm 灵敏度颗粒缺陷检测设备，同时全面披露了公司在 3D 集成量测、硅片厂全流程质量管控领域的技术布局与落地成果。
会上，中安半导体创始人、董事长曾安博士表示，自 2020 年成立以来，中安半导体始终锚定半导体前道量检测设备这一产业链核心卡点，专注自主研发与技术攻坚，从最初十几人的创业团队，成长为如今数百名员工，集研发、生产、制造、销售于一体的全产业链企业。公司先后推出晶圆几何形貌量测设备、晶圆颗粒与缺陷检测设备两大核心产品线，产品已批量进入国内多家领先半导体制造厂，通过了严苛的产线量产验证，实现了从技术突破到商业化落地的完整闭环。
本次发布的 10.5nm 灵敏度颗粒缺陷检测设备ZP8，正是公司面向更先进制程发起挑战的核心产物，也是目前国内已发布的技术指标最领先的半导体颗粒缺陷检测设备之一。
随着 AI 芯片技术的全方位演进，先进制程微缩与 3D 堆叠架构成为行业两大核心发展方向，也对量检测设备提出了前所未有的严苛要求：逻辑制程进入 3nm 节点后，工艺对颗粒缺陷的捕捉能力要求已达到 11.5nm 以上，曾经被视为非关键的纳米级微小颗粒，如今已成为导致芯片短路、功能失效的核心诱因；而 HBM、3D IC、背面供电等先进架构的普及，更是要求量检测设备必须走在制程演进的前面，为客户的工艺开发提供预判性的技术支撑。
据中安半导体技术专家初新堂介绍，正是基于这一行业底层逻辑，中安半导体在 ZP8 上实现了系统级的技术革新。为达成 10.5nm 的极限灵敏度，公司对设备光学系统、硬件架构与底层算法进行了全链条优化：
包括对激光系统的优化设计、针对高分辨率需求定制的特殊物镜结构、具备极高稳定性的高精度转台系统，以及图像传感器与深度学习算法的融合应用，这种“光学+机械+算法”的系统级优化，使其能够在Bare Wafer上实现对超微小缺陷的稳定捕获。
根据 SEMI M50－1104 国际标准验证，ZP8 Alpha 机台对 10.5nm 颗粒的捕捉率已达到 95％ 以上，在裸晶圆、高 k 介质层等多种工艺片的实测中，设备性能对标国际主流标杆机台，机台间匹配率与多片测试相关性，已完全满足国内一线头部晶圆厂的量产验证要求。
值得关注的是，ZP8 的发布并非中安半导体的单点技术突破，而是公司持续迭代的技术路线的必然成果。自 2024 年 ZP3 系列问世以来，中安半导体始终保持着半年至一年一次的技术跨代节奏，设备极限灵敏度从 26nm 稳步下探至 17nm、12.5nm，直至本次的 10.5nm，用持续的技术迭代兑现了对客户制程演进的配套承诺。
据现场披露的技术规划， ZP8 将于 2025 年 6 月正式推向市场，未来公司将进一步推出适配 15nm HVM 量产环境的颗粒检测设备，在保持高精度的基础上，持续优化量产产能与机台稳定性，深度匹配晶圆厂大规模量产的核心需求。
除了核心颗粒检测设备的升级，本次发布会还全面展现了中安半导体在半导体制造全流程的技术布局，形成了覆盖颗粒检测、3D 集成键合量测、硅片厂全流程管控的三大产品矩阵，真正实现了从衬底制造到芯片封装的良率管理全链条覆盖。
在 3D 集成与先进封装领域，针对 HBM、3D IC、混合键合等工艺的核心痛点，中安半导体构建了键合前、键合中、键合后的全流程量测解决方案。针对晶圆键合过程中的翘曲变形、套刻精度偏移等核心良率影响因素，公司设备可实现晶圆全场像素级高度信息采集，精准计算晶圆翘曲度，通过分区域数据指导工艺端进行补偿调节，优化键合前晶圆形貌，从根源上提升键合套刻精度。
实测数据显示，该量测方案的工艺数据相关性已超过 90％，可帮助客户在复杂的 3D 堆叠工艺中实现可预测、可控制的全流程良率管理，目前公司已与国内多家主流键合设备商开启深度协同开发。
在硅片厂领域，中安半导体打造了专用的WGT300系列量测设备，覆盖硅片线切、研磨、双面抛光、刻蚀、清洗到最终出货检的全流程关键工艺节点，配套自主研发的数据分析软件，可满足硅片厂生产数据实时监控与全生命周期质量追溯的核心需求。针对大尺寸硅片的量产要求，设备在平均厚度、GBIR、SFQR、ESFQR 等核心指标上展现出了行业顶尖的 TOR 表现，同时针对先进制程对超平整晶圆的极致要求，公司已在下一代产品中布局了高精度干涉测量、低噪声厚度测量模块、抗条纹印迹效应算法等多项革新性技术，为国内大硅片产业的技术升级提供核心设备支撑。
作为国产前道量检测设备的核心参与者，中安半导体始终将供应链自主可控作为核心发展原则。据现场披露，公司主要产品线的国产化率已达到 95％ 以上，实现了从核心技术研发到生产制造全链条的自主可控。
本次 10.5nm 灵敏度设备的发布，不仅填补了国内在超高端颗粒缺陷检测领域的技术空白，更形成了面向未来先进制程的战略技术储备，为国内晶圆厂先进制程的研发与量产提供了自主可控的良率管理方案。正如现场技术分享中提到的，高精尖设备领域必须拥有自己的 “技术核武器”，只有设备研发走在市场需求前面，才能在产业发展中不被 “卡脖子”，而自主技术的突破，更能推动行业技术普惠，让国内半导体企业更早、更顺畅地使用到全球顶尖的量检测技术。
发布会尾声，曾安董事长再次重申，中安半导体将继续秉持客观、严谨的科研态度，深耕半导体量测与检测领域，持续研发覆盖半导体制造全工艺流程的高端设备。
未来，公司将始终以 “ZAS 良率专家” 的定位，扎根产业、贴近客户，做晶圆厂良率提升之路上最坚实的伙伴，为中国半导体产业的高质量自主发展注入持续的 “芯” 动力。
