RISC-V工委会正式成立

RISC-V工委会是从事RISC-V 产业领域相关单位及组织等自愿组成的全国性、行业性、非营利性社会团体,是中国电子工业标准化技术协会(简称“中电标协”)所属分支机构

陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用

3月30日,陕西光电子先导院先进光子器件工程创新平台在西安全面启用。该平台具备光子芯片制程中的光刻、刻蚀、蒸镀等多项核心工艺,将为光子产业项目提供产品研发、中试、检测等全流程技术服务,为光子产业各类创新主体打通从产品研发到市场化批量供货的完整链条

果纳半导体海宁生产基地投产仪式举行

7月1日,上海果纳半导体海宁生产基地投产仪式隆重举行。海宁基地的投产将使果纳的生产能力大幅度提高,在拓展产能、满足订单快速提升需求的同时,也将为公司后续产品的研发和量产提供有力的平台支撑。

三星首款3nm可穿戴芯片发布,采用面板级封装

日前,三星官网正式发布其首款采用3nm GAA先进工艺的可穿戴设备SoC芯片Exynos W1000,将首搭在Galaxy Watch 7上。该产品应用了先进制造工艺和封装方法,提高性能的同时有助于减小体积,为电池预留更大空间,从而延长续航,也为智能手表的设计增添了灵活性。

SK海力士将在HBM生产中采用混合键合技术

据消息,SK海力士计划于2026年在其HBM生产中采用混合键合,目前半导体封装公司Genesem已提供两台下一代混合键合设备安装在SK海力士的试验工厂,用于测试混合键合工艺。混合键合取消了铜焊盘之间使用的凸块和铜柱,并直接键合焊盘,这意味着芯片制造商可以装入更多芯片进行堆叠,并增加带宽​

天岳先进成功交付P型SiC衬底

据天岳先进官微消息,近日,天岳先进向客户成功交付高质量低阻P型碳化硅衬底,标志着向以智能电网为代表的更高电压领域迈进了一步。高质量低阻P型碳化硅衬底将极大加速高性能SiC-IGBT的发展进程,实现高端特高压功率器件国产化。