日本政府正考虑向半导体公司Rapidus出资
日本政府正考虑向力争2027年量产下一代半导体的Rapidus公司出资，方案或为将政府资金建设的工厂来换取Rapidus股票。
荷兰政府：已撤回ASML部分对华出口许可
据路透社报道，荷兰贸易部长表示，由于担心ASML的芯片制造设备被用于军事目的，荷兰政府近期决定撤回ASML对中国出口部分产品的许可证
总投资超10亿元，湖北强芯半导体项目将投产
湖北强芯半导体有限公司芯片封装测试项目位于湖北省通城县电子信息科技产业园，主要从事半导体芯片封装测试、研发销售
新声半导体射频滤波器芯片项目开工
1月20日，新声半导体射频滤波器芯片项目开工仪式在苏州高新区举行，导入高端半导体芯片项目先进产线，将建设新声半导体总部
正式落成！又添一座大型封测厂
2024年1月16日，领先的半导体封装和测试服务提供商 Amkor Technology, Inc.和全球领先的半导体公司之一 GlobalFoundries (GF)制造商，在 Amkor 葡萄牙波尔图工厂举行剪彩仪式，正式启动其在欧洲的战略合作伙伴关系
台积电宣布先进封测厂六厂正式启用 实现3DFabric全自动封测
6月8日，台积电宣布先进封测厂六厂正式启用，成为公司首座实现3DFabric整合前段至后段制程以及测试服务的全方位(All-in-one)自动化先进封装测试厂
紫光股份超百亿增持新华三
大半导体产业网消息，日前，紫光股份发布公告称，旗下全资子公司紫光国际以支付现金的方式购买控股子公司新华三（H3C）共计30%股权，合计金额约21.43亿美元（约合人民币152亿元），相关事宜已顺利完成交割。
中车时代：投资111.19亿元中低压功率器件产业化建设项目正式启动
时代电气9月22日公告，基于公司及控股子公司株洲中车时代半导体有限公司(以下简称“中车时代半导体”)的发展战略需求，利用我国能源转型升级的契机，打造产业链的优势，中车时代半导体拟投资中低压功率器件产业化建设项目，项目投资总额约111.19亿元，其中宜兴子项目和株洲子项目投资金额分别约58.26亿元和52.93亿元。
中茵微电子获过亿元B轮融资，加速推进Chiplet产品的快速落地
融资所得资金将进一步用于企业级高速接口IP与Chiplet产品研发，加速推进Chiplet产品的快速落地与人才引进
48亿美元！富士通将把芯片封装部门出售给JIC财团
富士通12月12日公告称，将以6849亿日元（约47亿美元）价格将新光电气工业出售至日本政府支持的投资公司——产业革新投资机构（JIC）牵头的财团，该财团包括大日本印刷和三井化学
鸿海再夺英伟达大单 独家供货GB200交换器
鸿海（2317）抢攻AI商机再传捷报，继取得大份额英伟达（NVIDIA）GB200 AI服务器代工订单之后，独家拿下GB200关键元件、有「提升算力法宝」之誉的NVLink交换器（switch）大单，订单量是服务器机柜量上看七倍，不仅是全新订单，毛利率也远高于服务器组装，将成为助攻鸿海毛利一大利器，获利进补。
灿瑞科技登陆科创板，市值74亿
灿瑞科技创立于2005年9月，围绕智能传感器芯片和电源管理芯片两大板块打造了磁传感器芯片、光传感器芯片、屏幕偏压驱动芯片、闪光背光驱动芯片、LED照明驱动芯片、功率驱动芯片六大系列，共计550余款产品。
先楫半导体HPMicro完成新一轮近亿元融资
近日，聚焦国产高性能微控制器厂商上海先楫半导体科技有限公司(以下简称“先楫半导体”)宣布完成新一轮近亿元融资。本轮融资由天堂硅谷资本领投，天津永钛海河、杭州元琰股权投资基金及三旺奇通等跟投。
引领智行时代：芯驰科技将在AutoE/E 2024上分享面向新一代EEA的智能车控解决方案
在汽车行业的智能化浪潮中，电子电气架构（EEA）的革新是实现自动驾驶、车联网、电动化等关键技术突破的基石。芯驰科技，作为汽车电子领域的先行者，提供了一套全面的解决方案，以支持汽车制造商在EEA领域的升级和转型。
中国台湾中山大学成功突破6吋碳化硅晶体生长
近日，中国台湾中山大学晶体研究中心成功生长6吋导电型（n-type）4H碳化硅单晶，中心厚度为19mm，边缘约为14mm，生长速度达到370um／hr，晶体生长速度更快且具重复性，标示着中国台湾地区第三类半导体碳化硅向前推进的进程。
印度欲做世界芯片制造商，多家芯片厂商决定在印投资建厂？
印度总理莫迪表示，印度希望成为可信赖的半导体工业合作伙伴，并且成为全球最大的芯片制造国家。然而，为了吸引半导体公司在印度投资，莫迪政府的努力屡次受挫。莫迪表示：“为了加速印度半导体产业的发展，我们不断进行政策改革，以促进更快的发展。”
俄罗斯发布EUV光刻机路线图：2036年实现10nm以下制程芯片制造
据外媒报道，近日，俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov曝光了俄罗斯最新的光刻机研发路线图，显示俄罗斯最快将在2026年完成65-40nm分辨率的光刻机的研发，2032年前完成28nm分辨率的光刻机的研发，并最终在2036年底前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光（EUV）光刻机的研发。
总投资28.5亿元，致真存储芯片项目签约青岛西海岸新区
致真存储芯片项目总投资28.5亿元，分两期在新区建设8英寸、12英寸新一代存储芯片生产线及研发中心
六部委对集成电路部分材料免于办理进口许可等证明
公告明确“对γ-丁内酯含量低于60%（含）的光刻胶、聚酰亚胺取向液、稀释剂、感光液、防反射薄膜生成液，免于办理进口许可；免于办理国内购买和运输备案证明。”公告自2024年1月1日起施行
