NEO Semiconductor推出全球首款X-HBM架构
自NEO Semiconductor官网获悉，日前，NEO Semiconductor宣布推出全球首个用于人工智能芯片的超高带宽内存 (X-HBM) 架构。
三星3nm移动应用处理器实现首次流片
据业内人士透露，三星已完成3nm移动应用处理器(AP)的设计，并通过其代工部门实现首次流片。
台积电批准近155亿美元拨款，用于建设新晶圆厂和先进节点产能
台积电董事会已批准拨款约154.8亿美元，主要用于新晶圆厂建设、晶圆厂设施系统安装和先进工艺节点产能部署。
KLA在英国威尔士开设半导体设备研发制造中心
据外媒，日前，KLA Corporation（科磊公司）宣布在英国威尔士纽波特开设其价值1.38亿美元的新研发（R&D）和制造中心。该中心可容纳750名员工，KLA正在积极招聘。
日本Rapidus试制博通芯片，计划6月交付
据日媒报道，日本半导体制造商Rapidus计划与博通合作，最快于2025年6月提供2纳米制程芯片原型，并有望向博通的客户供应芯片。 有消息称，博通正评估Rapidus的2纳米芯片良率和性能，如果试产芯片符合其要求，将委托Rapidus生产相关高端芯片。
佰维存储：向特定对象发行A股申请获上交所审核通过
佰维存储2月11日发布公告称，公司已收到上海证券交易所出具的《关于深圳佰维存储科技股份有限公司向特定对象发行股票的交易所审核意见》，具体意见为公司向特定对象发行股票申请符合发行条件、上市条件和信息披露要求，将在收到公司申请文件后提交中国证监会注册。
科大立安中标安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目
近日，辰安科技子公司科大立安成功中标“安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目”。
骄成超声总部基地及先进超声装备产业化项目开工
据上海经信委官微消息，近日，上海骄成超声波技术股份有限公司（简称“骄成超声”）总部基地及先进超声装备产业化项目举行开工典礼，建设项目包括骄成超声总部、研发中心、销售中心、产业化中心等。
台积电南科工厂3nm部分产线有望转为2nm
台湾经济日报消息，台积电2nm客户需求强劲，为应对长期需求，2nm相关扩充产能计划将导入南科工厂，以制程升级挪出空间。
长光华芯申请高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法专利，有效提高评估结果准确度
天眼查知识产权信息显示，苏州长光华芯光电技术股份有限公司申请一项名为“高功率半导体激光芯片性能评估及结构优化方法“，公开号CN202410534321.3，申请日期为2024年4月。
ASML：将获台积电“大量”2nm相关订单
据消，ASML首席财务官罗杰·达森(Roger Dassen)称，将于第二、三季度开始获得台积电“大量”(significant)2nm相关订单。ASML此前曾表示，得益于智能手机和人工智能使用的尖端逻辑芯片的需求旺盛，其2025年销售额目标为300亿至400亿欧元。
CSPT 2026 |专攻CPO及高端光学需求，普莱信发布Phoenix 350 轻量化TCB设备
近日，国内高端半导体设备供应商普莱信正式推出其最新研发的Phoenix 350轻量化TCB热压键合机。该产品专为解决CPO（共封装光学）封装以及WLP（晶圆级封装）工艺中的核心痛点而设计，凭借其超高精度、高速度及多功能的工艺能力，为光电封装领域提供了全新的技术解决方案。直击CPO封装痛点，TCB技术成关键随着数据中心、人工智能和高性能计算对带宽和能效要求的不断提升，CPO技术作为解决传
青岛：重点发展磁存储芯片、先进封装等细分赛道
据消息，1月14日，市政府新闻办召开“干字当头 勇挑大梁 青岛走在前”主题系列新闻发布会第一场。
深圳平湖实验室在SiC衬底激光剥离技术领域取得重要进展
据深圳平湖实验室官微消息，为降低材料损耗，深圳平湖实验室新技术研究部开发激光剥离工艺来替代传统的多线切割工艺，其工艺过程示意图如下所示：
北京集成电路装备产投并购二期基金成立
据天眼查APP显示，北京集成电路装备产业投资并购二期基金（有限合伙）近日成立，执行事务合伙人为北京诺华资本投资管理有限公司，出资额25亿人民币。
工信部：开展车用芯片、操作系统、高精度传感器等技术攻关
4月19日至21日，工业和信息化部党组成员、副部长辛国斌在上海调研时表示，开展车用芯片、固态电池、操作系统、高精度传感器等技术攻关
环球晶圆将获美4.06亿美元补助
据外媒报道，美国商务部17日宣布将根据《芯片和科学法案》，向环球晶圆（GlobalWafers）美国子公司提供高达4.06亿美元的直接补助。
