两部门：聚焦集成电路核心计量技术支撑，重点攻克扁平化量值传递等技术难题
近日，市场监管总局、工业和信息化部印发《计量支撑产业新质生产力发展行动方案（2025—2030年）》。
成都华微：超低功耗RISC-V MCU成功发布
8月11日晚间，成都华微电子科技股份有限公司（下简称“成都华微”）自愿披露公告，宣布公司研发的超低功耗 RISC-VMCU 于近日成功发布。
传莱迪思半导体考虑收购英特尔旗下Altera
据外媒报道，有消息称莱迪思半导体正在考虑全盘收购英特尔旗下 FPGA 子公司 Altera，且正与顾问合作并寻求一家私募股权投资公司支持。
原子半导体项目签约落户无锡高新区
据无锡高新科技官微消息，8月26日，原子半导体项目正式签约。该项目也是香港“产学研1+计划”项目落户无锡的“第一单”，不仅将为无锡高新区乃至无锡市集成电路产业更好地强链补链延链提供创新活力，更是开创了市区联动“投资+人才政策”支持香港创新项目孵化和落地无锡的新路径。
台积电熊本厂年底投产，日本九州已获超320亿美元投资
台积电在日本九州岛的第一家工厂将于今年年底开始量产和出货，这是该国芯片行业复兴项目的一个重要里程碑，该项目已吸引约5万亿日元（327亿美元，约合人民币2332亿元）的相关投资。
中国国新与新紫光集团签署战略合作协议
据新紫光集团官微消息，日前，新紫光集团有限公司（以下简称“新紫光集团”）与中国国新控股有限责任公司（以下简称“中国国新”）在京签署战略合作协议。
普赛斯高端光电芯片装备研发生产基地项目投产
据消息，日前，武汉普赛斯电子股份有限公司（简称“普赛斯电子”）暨全资子公司武汉普赛斯仪表有限公司（简称“普赛斯仪表”）乔迁仪式在东湖综保区举行。
闪迪联手SK海力士推进高带宽闪存标准化，2026年推首款样品
自闪迪Sandisk官网获悉，当地时间8月6日，闪迪宣布已与SK海力士签署了一份具有里程碑意义的合作备忘录（MOU），双方将携手制定高带宽闪存（High Bandwidth Flash, HBF）的规格。这是一种旨在为下一代人工智能推理提供突破性内存容量和性能的新技术。
台积电：暂无为先进制程导入High-NA EUV必要
据报道，日前，台积电负责业务开发及全球业务的资深副总经理兼副联席COO张晓强在公司2025年技术论坛欧洲场上表示，台积电暂无为先进制程导入High-NA EUV的必要。
SkyWater宣布收购英飞凌8英寸晶圆厂Fab25
自SkyWater官网获悉，当地时间2月26日，SkyWater宣布已与英飞凌达成协议，将收购英飞凌位于得克萨斯州奥斯汀的200mm晶圆厂（“Fab 25”）以及相应的长期供应协议。
长控集团新增16家投资方，融资近百亿
日前，养元饮品发布公告称，其控制的泉泓投资以货币出资方式对长江存储科技控股有限责任公司（下简称“长控集团”）增资人民币16亿元。本次交易完成后，泉泓投资持有长控集团0.99%的股份。
SK海力士成功开发基于321层NAND闪存的UFS 4.1解决方案产品
5月22日，SK 海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。
中国科学院物理研究所发现超带隙透明导体
相关成果以“Hyper-gap transparent conductor”为题，发表在Nature Materials杂志。
三星电子获美47.45亿美元芯片补贴
当地时间12月20日，美国商务部宣布将根据芯片激励计划，向三星电子提供至高47.45亿美元（约合人民币346亿元）的直接资金补贴。
意法半导中国首个GNSS人才培养基地落户重庆
据消息，4月19日，在重庆软件园举办的第二届西部汽车产业及人才创新发展研讨会上，意法半导体与天合智控科技（重庆）有限公司联合开放实验室在重软学院揭牌。
英特尔将切割非核心业务 ，打造世界级晶圆代工厂
据外媒报道，当地时间3月31日，英特尔在美召开了“Intel Vision”（英特尔愿景）大会，英特尔新任首席执行官陈立武首次公开亮相，并做了主题为“A New Intel”的开场演讲。
世界首台探针计算机在京诞生
据北京新闻报道，近日，一台历时二十三年攻关的原创性成果，能够求解大规模复杂难解问题的专用计算机——探针计算机在京研制成功并通过专家组鉴定
联电新加坡厂扩建落成，一期投资超363亿元
据联电（UMC）官网报道，4月1日，联电宣布在新加坡举行扩建新厂开幕典礼，新厂第一期将自2026年开始量产，预计将使联电新加坡Fab 12i厂总产能提升至每年超过100万片12吋晶圆。
睿众博芯总部项目正式运营
据“江宁发布”公众号消息，日前，南京睿众博芯微电子技术有限公司（简称“睿众博芯”）在江宁开发区九龙湖国际企业总部园正式运营。
