三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
据消息，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
力森诺科竹科厂房出售， 封测厂硅格16.8亿元新台币取得
半导体封测厂矽格5月9日傍晚公告，子公司矽格联测得标中国台湾力森诺科竹科厂房标售案，交易总金额16.8亿元新台币（单位下同），以应对未来运营需求。
JDI晶端显示携创新传感器产品亮相，宣告战略转型新篇章
JDI的此次转型展示了传统显示巨头如何利用其技术底蕴开辟第二增长曲线，其创新的传感器产品有望为多个行业带来新的变革契机
群创光电布局FOPLP、TGV等半导体前瞻技术
据台媒报道，日前，群创光电宣布为深耕半导体领域，先后布局扇出型面板级封装（FOPLP）、玻璃通孔（TGV）、硅光子等半导体前瞻技术，预计养成500名半导体大军。
晶镓半导体入驻新一代半导体公共服务平台项目
据消息，近日，济南市半导体、空天信息产业高价值技术成果本市转化对接会在历城区国家超级计算济南中心成功举办。
SK海力士计划在清州M15X工厂新建DRAM生产基地
自SK海力士官网获悉，4月24日，SK海力士宣布，为应对AI半导体需求的急剧增长，计划扩大AI基础设施核心组件HBM等下一代DRAM的生产能力。
NAND或最高涨价20%！三星电子计划与客户重新谈判
据韩媒ChosunBiz援引业内人士消息，三星电子计划在今年3月至4月期间，与主要移动端、PC端、服务器端客户重新协商价格，目标涨价15%至20%。
美国将限制中国经第三国购买AI芯片
据香港《南华早报》12日报道，美国拜登政府计划于12月底前采取新措施，限制中国从第三方国家获取先进人工智能（AI）芯片，特别是用于训练AI模型的绘图处理器（GPU）。此举旨在填补现有漏洞，控制美国产品扩散，确保美国在全球AI领域的领先地位。
7月,南京!2023世界半导体大会暨南京国际半导体博览会正式定档!
官宣！世界半导体大会暨南京国际半导体博览会，将于2023年7月19-21日，再度亮相南京国际博览中心
100亿规模四川省先进制造基金完成备案
据四川振兴集团官微消息，近日，四川省先进制造投资引导基金合伙企业（有限合伙）完成中国证券投资基金业协会备案工作，由中金资本运营有限公司担任管理人
安森美宣布收购CQD传感器技术公司SWIR Vision Systems
据消息，近日，安森美（onsemi）宣布已完成对SWIR Vision Systems®的收购，后者已成为安森美的全资子公司，其技术精湛的团队将并入安森美智能感知事业群，并继续在北卡罗来纳州运营。
国家火炬中心固安半导体产业基地揭牌运营
据消息，8月20日，国家火炬中心固安半导体产业基地正式揭牌，固安半导体核心零部件产业园开园运营。
祝贺普莱信智能荣膺国家级专精特新“小巨人”企业
普莱信智能负责人孟总表示：“荣获国家级‘小巨人’称号，我们深感荣幸，也意识到肩负的责任。这
三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料
据消息，三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利，将能够在特定条件下表现出铁电性，有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜，提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期，3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。
广立微集成电路EDA产业化基地项目结顶
据广立微官微消息，8月21日，位于杭州市滨江区的广立微集成电路EDA产业化基地项目举行了结顶仪式。
中科海芯RISC-V芯片研发及产业化项目签约无锡
据中科海芯官微消息，近日，中科海芯RISC-V芯片研发及产业化项目落地无锡市锡山区工业芯谷产业园签约仪式在北京顺利举行。
