英特尔和新思科技深化合作，提供基于英特尔先进制程节点的领先IP
通过扩大合作伙伴和加快提供IP的速度，该合作将支持英特尔代工服务生态的发展
通则康威拟A股IPO 已进行上市辅导备案
近日，证监会披露了关于广州通则康威科技股份有限公司（以下简称“通则康威”）首次公开发行股票并上市辅导备案报告，其上市辅导机构为中信建投。
消息称三星下代400+层 V-NAND 2026年推出
据韩媒报道，根据其掌握的三星半导体存储路线图，三星电子将于2026年推出的下代 V-NAND 堆叠层数超过400，而预计于2027年推出的 0a nm DRAM 则将采用 VCT 结构。
15.6亿元！又一半导体材料项目破土动工
据消息，10月27日，福建德尔科技股份有限公司含氟半导体材料项目（一期）在蛟洋新材料产业园区正式破土动工。
50亿元！先进封装等半导体项目签约湖北黄石
3月23日，湖北黄石市人民政府和闻泰科技共同主办了“闻泰科技2024年全球精英合作伙伴大会暨黄石光电子信息产业生态发布会”，共有51个产业项目集中签约，总投资高达507.9亿元。
三星和SK海力士正在提高DRAM产量 将恢复至削减前水平
随着全球需求复苏，韩国内存芯片制造商三星电子和SK海力士今年第二季度加大DRAM晶圆投入，有效结束减产。
投资至多20亿美元，安森美将在捷克建立先进SiC生产基地
据安森美（onsemi）官网消息，为满足电气化、人工智能所带来的对先进功率半导体的需求，安森美宣布计划在捷克共和国建立一个最先进的垂直集成碳化硅（SiC）制造工厂。
三安意法重庆8英寸碳化硅项目正式通线
据三安光电官微消息，2月27日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。
AMD计划在台湾设立研发中心
据报道，经证实，5月20日，超威半导体（AMD）计划在中国台湾地区投资50亿元新台币（约合人民币11.22亿元）设立研发中心。
富乐德：拟收购关联方杭州之芯半导体公司100%股权
富乐德6月7日晚间公告，为拓展半导体设备及零部件维修领域业务，公司与杭州大和江东新材料科技有限公司签订附条件生效的《股权转让协议》，收购杭州之芯半导体有限公司100%股权，交易价格6800万元。
东风首批自主碳化硅功率模块下线，实现10分钟充电80%
近日，东风首批采用纳米银烧结技术的碳化硅模块从智新半导体二期产线顺利下线，完成自主封装、测试以及应用老化试验
镓仁半导体氧化镓二期工厂正式启用
据悉，在二期工厂中，镓仁半导体自主研发并对外销售的垂直布里奇曼法（VB法）氧化镓专用长晶炉已全面进线，而且在现有基础上对工艺进行持续优化。
成都华微超高速数据转换器芯片取得重大突破
大半导体产业网消息，成都华微12月9日发布晚间公告称，近日，公司研发的HWD08B64GA1型8位64G超高速AD转换器成功发布
至讯创新完成A轮融资，官宣19nm NAND闪存芯片
据至讯创新官微消息，近日，至讯创新科技（无锡）有限公司（以下简称“至讯创新”）宣布成功完成亿元级A轮融资。本轮融资由多家知名投资方共同参与，旨在进一步推动公司在AI存储芯片领域的技术创新和市场扩张。
台积电3纳米产能全包，传英伟达、苹果等四大客户考虑涨价
随着台积电3纳米供不应求，四大客户产能全包，预期台积电3纳米订单满至2026年。据报道，NVIDIA、苹果、AMD和高通现在考虑提高AI硬件价格。
美国政府宣布计划向英特尔提供近200亿美元激励 支持其在美半导体项目
美国商务部20日宣布，美国政府与英特尔达成一份不具约束力的初步条款备忘录（PMT），将根据美国《芯片与科学法案》向后者提供至多85亿美元直接资金和最高110亿美元贷款，支持后者在美国多州的半导体项目
力积电日本晶圆厂或提前一年投产
力积电与SBI控股在日本宫城县将合建新厂，日前SBI控股会长北尾吉孝透露，有意将新厂生产时间提前1年。
