台积电美国厂发生爆炸 造成至少一人重伤
据媒体报道，当地时间5月15日下午，台积电亚利桑那州凤凰城的工厂发生爆炸，消防队因厂方通报危险有害物而前往救援。
三星2nm工艺EUV层数相比3nm将增加30%
与3nm工艺相比，三星2nm工艺节点的EUV层数将增加30%，这意味着芯片可容纳更多电路，目前该公司3nm工艺节点有20个EUV层。
“国家队”重磅官宣 1.5万亿半导体投资启航
6月7日，国家金融监管总局官网挂出同意国有六大行参与投资设立国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司的行政批复。国家金融监管总局指出，资金来源于银行资本金划拨，确保基金运行不偏离主业，实现推动集成电路产业高质量发展的政策目标。
三星和SK海力士将超过20%的DRAM产线转换为HBM产线
三星和SK海力士预测，由于AI相关芯片需求不断增长，今年DRAM和HBM价格将保持坚挺
TCL科技拟收购深圳华星半导体21.53%股权
据消息，3月3日，TCL科技集团股份有限公司发布公告称，拟通过发行股份及支付现金的方式购买深圳市重大产业发展一期基金有限公司持有的深圳华星半导体显示技术有限公司21.5311%股权，并募集配套资金。
三星电子工会宣布发起全国大罢工
有媒体报道称，韩国韩国科技大厂三星电子工会今天宣布发起全国大罢工，并表示在改善薪酬和休假福利等要求得到满足前，将会持续奋战。
晶华微拟收购智芯微100%股权，拓展MCU产品
据消息，日前，晶华微披露公告称，公司拟使用自有资金2亿元购买芯邦科技持有的智芯微100%的股权。本次交易完成后，智芯微将成为晶华微的全资子公司。
科友半导体碳化硅晶体厚度突破80mm
5月29日，科友半导体碳化硅晶体生长车间传来捷报，自主研发的电阻长晶炉再次实现突破，成功制备出多颗中心厚度超过80mm，薄点厚度超过60mm的导电型6英寸碳化硅单晶。
佛山清溢光电首台主设备成功搬入竣工在即
据深圳清溢光电股份有限公司官微消息，4月10日，佛山清溢光电高精度掩膜版生产基地建设项目现场顺利举行首台曝光机搬入仪式，标志着佛山清溢光电高精度掩膜版生产基地正式进入设备搬入及安装调试阶段。
华虹公司证实：将代工意法半导体40nm MCU
据报道，11月21日，意法半导体在投资者活动现场宣布，公司正和中国晶圆代工厂华虹公司开展合作，将与华虹合作在中国生产40nm节点的微控制器单元（MCU）。
IMEC获25亿欧元投资，牵头建设亚2nm中试线
据消息，据比利时半导体研究机构（IMEC）21日公告，IMEC 将筹集25亿欧元（约合27.15亿美元）的资金，以建立一条中试线（NanoIC），用于开发和测试未来几代先进计算机芯片。
三星NAND晶圆投片量趋于保守 产能利用率维持在60%以下
三星电子今年一季度在韩国平泽和中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量，相较上一季将提升了约30%。
SK海力士开始量产全球最高的321层NAND闪存
SK海力士（或‘公司’，https://www.skhynix.com）21日宣布，开始量产全球最高的321层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND闪存。
士兰微两大募投半导体项目延期至2026年
据消息，11月25日，士兰微发布晚间公告称，公司结合募投项目的实际建设情况和投资进度，拟对2023年度向特定对象发行部分募集资金投资项目达到预定可使用状态的日期进行延期调整。
产能供不应求晶圆一哥积极扩产台积电传屏东盖CoWoS 厂
台积电 CoWoS先进封装产能严重供不应求，南科嘉义园区新厂甫动工扩产之际，下游供应链爆料，台积有意前往屏东再盖先进封装厂，现已迈入找地阶段。
纳芯微拟收购上海麦歌恩微电子部分股权
6月23日晚间，纳芯微（688052 ）披露公告称，公司拟收购上海麦歌恩微电子股份有限公司部分股权。
SK海力士Q1合同负债增超61亿元
据消息，据SK海力士今日最新提交的季度报告显示，截至今年第一季度末，SK海力士预付款和合同负债分别达到561亿韩元和27459亿韩元，其中，合同负债仅一个季度就增加了超过1.16万亿韩元（约合61.79亿元人民币）。业内认为，合同债务增加主要是因为SK海力士从英伟达等主要客户那里收到了额外预付款。
三星电机宣布向AMD供应高性能FCBGA基板
三星电机在声明中称，公司已向FCBGA基板领域投资了1.9万亿韩元（约合人民币99.56亿元）。
