上海集成电路产投基金二期增资至145亿
天眼查App显示，近日，上海集成电路产业投资基金（二期）有限公司发生工商变更，新增上海浦东创新投资发展（集团）有限公司为股东，同时，注册资本由76亿人民币增至约145.3亿人民币，部分主要人员也发生变更。
意大利计划向半导体行业投资100亿欧元 扩大芯片生产
据消息，意大利工业部长阿道夫·乌尔索（Adolfo Urso）称，意大利政府计划全年向半导体行业投资约100亿欧元。
博世将获美芯片补贴扩产SiC半导体
据媒体报道，美国商务部13日宣布，已与德国汽车零部件供应商博世达成初步协议，向其提供至多2.25亿美元补贴，用于在加州生产碳化硅（SiC）功率半导体。
合肥清溢光电第四期项目签约
4月11日，安徽省合肥新站高新技术产业开发区管委会与深圳清溢光电股份有限公司（以下简称“清溢光电”）在香港举行第四期项目签约仪式
台积电总裁魏哲家访ASML 引发联想外界猜测可能改变心意
台积电先前一再表示，艾司摩尔（ASML）的高数值孔径极紫外光机台（High-NA EUV），太过昂贵，2026年前使用没有太大的经济效益，但日前台积电总裁魏哲家密访ASML总部，让外界不禁猜测，台积电是否改变心意。
SK海力士宣布最早2026年推出HBM4E内存 带宽为上代1.4倍
据消息，SK海力士HBM负责人Kim Gwi-wook表示，当前业界HBM技术已经到了新的水平，行业需求促使SK海力士将加速开发过程，最早在2026年推出HBM4E内存，相关内存带宽将是HBM4的1.4倍。
新增50项？韩媒：韩国将扩大“关键战略技术清单”
据韩联社报道，韩国产业通商资源部于4月18日表示，韩国将把50项与材料、零部件和设备领域相关的先进技术列入国家“关键战略技术清单”，以培育能够获得卓越全球竞争力的企业
国芯科技：基于RISC-V架构多核CPU研发的超高性能云安全芯片内测成功
据消息，国芯科技4月9日发布公告，公司基于RISC-V架构多核CPU自主研发的超高性能云安全芯片CCP917T新产品于近日在内部测试中获得成功。
AMD计划在台湾设立研发中心
据报道，经证实，5月20日，超威半导体（AMD）计划在中国台湾地区投资50亿元新台币（约合人民币11.22亿元）设立研发中心。
任正非：华为用三年时间完成超13000颗器件的替代开发
面对打压，华为用三年时间内完成13000+颗器件的替代开发、4000+电路板的反复换板开发……“直到现在我们电路板才稳定下来，因为我们有国产的零部件供应了。"
甬矽电子募资11.65亿元加码先进封装项目
7月14日，甬矽电子发布发布向不特定对象发行可转换公司债券上市公告书。经上交所、证监会同意，该可转债将于7月16日起在上交所挂牌交易，募集资金总额为11.65亿元。
韩国加快建设龙仁半导体中心，预计2026年动工
据韩媒报道，近日，韩国龙仁半导体国家产业园区建设方案已获批通过，开工时间从2030年6月提前至2026年12月。
加特兰毫米波雷达SoC家族再进化，为全球市场提供高性能雷达解决方案
6月6日，在 “2024加特兰日”上，加特兰发布了全新毫米波雷达芯片平台、技术和方案，代表着加特兰毫米波雷达SoC家族再进化，以应对全球汽车智能化加速发展的浪潮
万业企业与国家第三代半导体技术创新中心签署战略协议
据万业企业官微消息，8月16日，上海万业企业股份有限公司（以下简称“万业企业”）与国家第三代半导体技术创新中心（苏州）在苏州纳米城举行了《协同创新发展全面战略合作协议》签署仪式。
盛美上海推出三款面板级先进封装新产品
据消息，日前，盛美上海在投资者互动平台表示，第三季度，公司推出了三款面板级先进封装的新产品，包括水平式电镀设备、边缘刻蚀设备和负压清洗设备。
印度首个自研芯片将在今年投产
日前，印度电子与信息技术部长阿什温・瓦伊什诺（Ashwini Vaishnaw）宣布，印度首个自主研发的半导体芯片将于今年投入生产。
TCL科技拟收购深圳华星半导体21.53%股权
据消息，3月3日，TCL科技集团股份有限公司发布公告称，拟通过发行股份及支付现金的方式购买深圳市重大产业发展一期基金有限公司持有的深圳华星半导体显示技术有限公司21.5311%股权，并募集配套资金。
台积电3nm家族最新进度：N3E已有多家大客户采用 N3P已完成认证
台积电日前分享了公司3nm（N3）家族最新进度。其中，N3E已按计划于去年第四季开始量产，目前N3E已有多家大客户采用；N3P制程计划今年下半年量产，已完成认证，良率表现已接近N3E。
