铠侠与闪迪合作研发出332层NAND闪存

自铠侠官网获悉,日前, 铠侠公司和闪迪公司宣布率先推出了最先进的3D闪存技术,以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度树立了行业标杆。

中国在新兴芯片领域产生最多论文 难以透过出口管制打击

一份分析报告指出,中国目前在未来运算硬件基础研究领域产出最多的研究成果。这项由乔治城大学新兴技术观察项目 (Emerging Technology Observatory,ETO) 进行的研究发现,如果这些研究能够发展成商业应用,美国可能很快就会发现,难以透过出口管制来维持其在高效能微芯片设计和生产方面的竞争优势。

喆塔半导体AI创新总部落户光谷并启动

据喆塔科技官微消息,8月30日,喆塔科技半导体AI创新总部——喆塔智芯正式落户武汉光谷,并与东湖高新区管委会、光谷金控签署了三方合作协议。武汉喆塔智芯签约仪式暨喆塔科技半导体AI创新总部启动仪式在光谷隆重举行,标志着三方合作步入实质性阶段。

紫光同芯发布高端控制芯片THA6系列新品THA6412

在2024紫光同芯合作伙伴大会上,紫光同芯正式发布第二代高端控制芯片THA6系列新品THA6412。该芯片在安全性、可靠性、算力、实时性等方面进行了升级,是继今年7月紫光同芯发布THA6206芯片后,又一款通过ASIL D产品认证的旗舰级R52+内核车规MCU。

4nm→2nm,三星或升级美国德州泰勒晶圆厂制程节点

根据韩国媒体Etnews的报导,晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术,从原计划的4纳米改为2纳米,以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称,三星电子最快将于第三季做出最终决定。