4nm→2nm，三星或升级美国德州泰勒晶圆厂制程节点
根据韩国媒体Etnews的报导，晶圆代工大厂三星正在考虑将其设在美国德州泰勒市的晶圆厂制程技术，从原计划的4纳米改为2纳米，以加强与台积电美国厂和英特尔的竞争。消息人士称，三星电子最快将于第三季做出最终决定。
50亿元！先进封装等半导体项目签约湖北黄石
3月23日，湖北黄石市人民政府和闻泰科技共同主办了“闻泰科技2024年全球精英合作伙伴大会暨黄石光电子信息产业生态发布会”，共有51个产业项目集中签约，总投资高达507.9亿元。
三星探索利用康宁玻璃开发封装中介层
据外媒报道，近日，三星电子收到材料供应商Chemtronics和设备制造商Philoptics关于开发玻璃中介板的合作提案。
上海集成电路产投基金二期增资至145亿
天眼查App显示，近日，上海集成电路产业投资基金（二期）有限公司发生工商变更，新增上海浦东创新投资发展（集团）有限公司为股东，同时，注册资本由76亿人民币增至约145.3亿人民币，部分主要人员也发生变更。
晶合集成业内首颗1.8亿像素全画幅CIS芯片成功试产
据晶合集成官微消息，近期，晶合集成与国内先进设计公司思特威联合推出业内首颗1.8亿像素全画幅（2.77英寸）CIS（CMOS图像传感器），为高端单反相机应用图像传感器提供更多选择，推动全画幅CIS进入发展新阶段。
三星电子400层NAND完成研发，已开始导入产线
据韩媒报道，目前，三星电子已在其半导体研究所成功完成400层NAND技术，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。
鸿海布局第四代化合物半导体
近日，鸿海研究院半导体所，携手阳明交大电子所，双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破，提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温应用领域的高压耐受性能，为未来高功率电子元件开辟了新的可能性。
清溢光电拟募资12亿元投建高精度、高端半导体掩膜版基地
据消息，日前，清溢光电发布公告称，公司拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过12亿元（含本数），募集资金扣除相关发行费用后将用于投资高精度掩膜版生产基地建设项目一期、高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期。
