三星计划到2030年推出1000层3D NAND新材料

据消息,三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。如果上述材料研发顺利,将能够在特定条件下表现出铁电性,有望取代目前在3D NAND堆叠技术中使用的氧化物薄膜,提升芯片耐用与稳定度。三星高层预期,3D NAND大约在2030年有望向上堆叠超1000层。​

存储芯片价格已较去年同期上涨约50% 报告称或还将持续上涨​

据消息,存储芯片是半导体市场最主要的细分领域,主要分为闪存和内存。数据显示,今年以来存储芯片价格已较去年同期上涨约50%。某存储企业负责人表示,从2023年年底开始,半导体存储产业逐步进入上行周期,今年已多次收到上游存储芯片厂提高合约价的通知。有报告显示,存储芯片价格或还将持续上涨,预计今年第二季度DRAM内存新品合约价格将上涨13%至18%。​