三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度
据消息，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。
总投资10亿元，展鑫半导体封测及智能装备制造项目厂房完工
项目总投资10亿元，计划改造3万平方米砖混标准厂房，建设半导体封测及应用生产线80条、年产数控建工中心机6000台暨智能机器人设备800台的生产、研发基地
格芯先进制程落后引发担忧，硅光子与功率芯片是方向
在半导体行业持续发力人工智能（AI）的背景下，格芯迟迟未进军7nm及以下先进制程引发业界担忧，怀疑其能否深度参与人工智能市场。台积电、三星、英特尔等纷纷进军先进制程工艺，而格芯自2018年8月起，宣布无限期搁置7nm以下技术研发。
株洲中车8英寸SiC产线年底通线
日前，株洲中车董事长、执行董事李东林在投资者活动中透露，株洲三期于2024年11月份启动建设，2025年5月主体厂房封顶，预计2025年下半年启动设备搬入，2025年底有望实现产线拉通，该项目为8英寸SiC晶圆。
中欣晶圆12英寸BCD硅片产品取得技术突破
据中欣晶圆官微消息，近日，中欣晶圆12英寸轻掺BCD硅片产品取得技术突破，良率达到行业先进水平，通过国内外客户验证并已实现规模量产。
SK海力士：将CIS事业部转为面向AI的存储器领域
3月6日，SK海力士表示，将结束图像传感器(CIS)事业部门，并将数百名相关人员统一转换为人工智能(AI)存储器领域。
优晶科技8英寸电阻法SiC单晶生长设备通过技术鉴定
6月7日，苏州优晶半导体科技股份有限公司（以下简称“优晶科技”）宣布8英寸电阻法SiC单晶生长设备获行业专家认可，成功通过技术鉴定评审。
清华大学团队研制感存算一体化光电忆阻器阵列
据清华大学官网消息，目前，视觉感内计算研究尚处于起步阶段，在硬件层面，当前研究大多聚焦于单个光电感存算一体化器件，缺少将大规模阵列与硅CMOS电路有效集成的方案；在算法架构层面，当前演示的感内计算功能较为单一，难以支撑复杂视觉信息处理任务。
英特尔俄亥俄州新晶圆厂投运时间推迟至2027-2028年
《科创板日报》19日讯，据英特尔向美国俄亥俄州政府提交的难度报告，其位于该州的两座新晶圆厂的投运时间已推迟至2027-2028年。
