12月22日芯闻:英特尔拆分图形芯片部门;美光23年将减少约10%员工;三星推出12纳米级DRAM;紫光、舜宇成立半导体公司;通富微电支持5纳米产品导入

12月20日,2022中国无线电大会在广东省深圳市正式召开。据会上发布的研究报告显示,目前广东省已是全国最大的无线电网络和产业大省,2021年广东省规模以上无线电制造业增加值超4500亿元,位居全国第一。面向2025年,预计广东省规模以上无线电制造业增加值将达到5500亿元。

三星正在试产第二代3nm

据Chosun援引未具名的行业消息人士报道 ,三星代工厂已开始采用其 二代 3 纳米级工艺技术(称为 SF3)试生产芯片

新思科技:携开发者共赴数智低碳新未来

芯片产业迎来百年未有之大变局,半导体行业亟需一个评判新范式。凭借三十多年对产业的持续投入和洞察,新思科技在本次大会上发布了“中国半导体企业竞争力指数模型”,提炼了半导体公司发展最重要的十个维度,支持企业更好地自我诊断和调整长期发展策略,在数智化与低碳化的浪潮下顺流而上,把握时代机遇。

俄罗斯发布EUV光刻机路线图:2036年实现10nm以下制程芯片制造

据外媒报道,近日,俄罗斯计算机与数据科学博士Dmitrii Kuznetsov曝光了俄罗斯最新的光刻机研发路线图,显示俄罗斯最快将在2026年完成65-40nm分辨率的光刻机的研发,2032年前完成28nm分辨率的光刻机的研发,并最终在2036年底前完成可以生产10nm以下先进制程的全新极紫外线光(EUV)光刻机的研发。