英特尔将搁置在意大利的投资
据外媒报道，意大利工业部周四表示，英特尔推迟了在意大利的投资计划，此前在2022年3月首次提出的建设先进封装和芯片组装工厂的项目尚未确定。
IBM 与加拿大政府、魁北克省政府签署半导体产业合作协议
据外媒消息，近期，IBM 、加拿大政府、魁北克省政府宣布了一项协议，该协议将加强加拿大的半导体产业，并进一步开发半导体模块的组装、测试和封装 ( ATP ) 能力，这些模块将被用于广泛的应用，包括电信、高性能计算、汽车、航空航天和国防、计算机网络和生成式人工智能。这份协议反映了总价值约 1.87 亿加元的投资。
三星电子完成1c纳米DRAM内存工艺开发，准备向量产转移
据韩媒报道，日前，三星电子对其第六代10nm级DRAM内存工艺1c纳米授予生产准备批准 (PRA)。这标志着三星完成1c nm内存开发，准备向量产转移。
英特尔计划投资14.7亿元在马来西亚建封测厂
据报道，马来西亚总理安瓦尔・易卜拉欣（Anwar Ibrahim）表示，英特尔公司将追加投资8.6亿林吉特（约合人民币14.7亿元），以将马来西亚打造为其全球封装与测试运营中心。
台积电确认熊本第二晶圆厂建设延期
据报道，在6月3日的台积电年度股东常会上，台积电董事长兼总裁魏哲家确认在日控股子公司JASM的第二晶圆厂项目动工出现略微延迟。
国务院国资委：中央企业必须把科技创新摆在更加突出位置
据国务院国资委官网消息，4月7日，国务院国资委党委召开扩大会议，国务院国资委党委书记、主任张玉卓主持会议并讲话。
Polar与瑞萨电子达成硅基氮化镓技术授权协议
根据协议，Polar与瑞萨将共同推进GaN器件的商业化量产，重点覆盖汽车电子、数据中心、工业能源、消费电子及航空航天与国防等关键领域。目前，该工厂已完成了最先进的加工和自动化设备的扩建。
总投资200亿，士兰微12英寸高端模拟芯片制造生产线项目（一期）预计年底动工
日前，厦门士兰微项目总指挥朱利荣透露，总投资200亿元的12英寸高端模拟集成电路芯片制造生产线项目，一期计划于今年底动工。
中国电科成功研发国内首个金刚石微波激射器
据新华网报道，自中国电子科技集团有限公司获悉，中国电科产业基础研究院重点实验室量子科研团队联合中国科学院量子信息重点实验室，成功研发国内首个金刚石氮空位色心微波激射器。
国巨完成对日本芝浦电子公开收购
10月20日，台湾地区电子零部件制造商国巨宣布已完成对日本芝浦电子的公开收购，应募率达87.3%。
英飞凌居林200mm碳化硅晶圆厂第一阶段建设完成
英飞凌已完成位于马来西亚居林的200mm碳化硅（SiC）功率晶圆厂的第一阶段建设。
寒武纪近50亿元定增申请获受理
自上交所官网获悉，6月4日晚间，寒武纪49.8亿元定增申请获得上交所受理。此次寒武纪再融资适用科创板“轻资产、高研发投入”企业认定标准，也是落实“科创板八条”的又一代表性案例。
思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产
据思锐智能官微消息，日前，思锐智能半导体先进装备研发制造中心落成投产仪式在青岛隆重举行。据悉，思锐智能半导体先进装备研发制造中心由思锐智能与青岛城投集团联合打造，总占地约95亩，总建筑面积约8.9万平方米，计划投资超12亿元，聚焦原子层沉积镀膜（ALD）和离子注入机（IMP）两大核心装备的研发与量产。思锐智能董事长聂翔表示，思锐智能半导体先进装备研发制造中心不仅是一座年产上百台核心设备的研发生产基
